[发明专利]一种MEMS麦克风及其制作方法和电子装置

权利要求书

1.一种MEMS麦克风的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底的正面形成有牺牲层，在所 述牺牲层内形成有被所述牺牲层包围的振动膜，在所述牺牲层上与所 述振动膜对应的区域形成有若干定极板；

对所述半导体衬底的背面进行激光切割，直到暴露所述牺牲层， 以形成切割口，其中，所述切割口位于所述半导体衬底背面对应所述 定极板的区域边缘；

在所述半导体衬底的背面和所述切割口内形成图案化的光刻胶 层，暴露所述切割口内侧的所述半导体衬底；

以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底的背面，直到暴露 牺牲层，形成腔体；

去除所述振动膜中间部位上方和下方的所述牺牲层，以在所述定 极板和所述振动膜之间形成空腔。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在进行所述 激光切割之前，还包括在所述半导体衬底的背面定义激光切割标记的 步骤，其中所述激光切割标记位于所述半导体衬底背面对应所述定极 板的区域边缘。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述激光切 割的深度为370～390μm。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为 干法刻蚀。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述干法刻 蚀为深反应离子刻蚀。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述腔体为 圆柱形。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述振动膜 和所述定极板的材料为导电材料。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述导电材 料选自铝、钨、铜、掺杂的多晶硅或非晶硅、硅锗中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述若干定 极板相互间隔。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在间隔的所 述定极板之间还形成有限位结构，所述限位结构的一部分位于所述牺 牲层内。

11.一种采用权利要求1所述的制作方法制得的MEMS麦克风。

12.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求11所述的MEMS 麦克风。