[发明专利]电极表面处理与制作方法在审
申请号: | 201410494215.3 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN105449031A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 陈麒麟;彭振维 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商精曜有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 开曼群岛大开曼岛KY1-1*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 表面 处理 制作方法 | ||
1.一种电极表面处理与制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:提供一种太阳能电池,将导电材料涂至所述太阳能电池上,预烤所述导电材料,对所述导电材料进行硬压,并对所述导电材料进行硬烤。
2.根据权利要求1所述的电极表面处理与制作方法,其特征在于,所述硬压步骤在所述预烤步骤之后进行。
3.根据权利要求2所述的电极表面处理与制作方法,其特征在于,所述硬烤步骤在所述硬压步骤之后进行。
4.根据权利要求1所述的电极表面处理与制作方法,其特征在于,所述导电材料为银胶。
5.根据权利要求1所述的电极表面处理与制作方法,其特征在于,所述预烤步骤的温度介于40℃~100℃。
6.根据权利要求1所述的电极表面处理与制作方法,其特征在于,所述硬烤步骤的温度高于200℃。
7.根据权利要求1-6任一所述的电极表面处理与制作方法,其特征在于,所述硬压步骤的压力介于10千克/平方米~1000千克/平方米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的