[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种阻变存储器的制备方法，包括：

提供下电极；

在所述下电极上形成介电层；

在所述介电层中形成沟槽/通孔，所述沟槽/通孔底部暴露出所述下电极；

在所述沟槽/通孔中依次形成阻挡层、阻变材料层和牺牲层；

去除部分所述牺牲层；

去除所述阻变材料层和所述阻挡层未被剩余的牺牲层覆盖的部分；

去除所述剩余的牺牲层；以及

在所述沟槽/通孔中形成上电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料是钽、氮化钽、钛、氮化钛、氮化锆、氮化钛锆、钨、氮化钨中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层的材料是二氧化硅或低k介电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下电极的材料是钨、铝、铜、钛、钽、氮化钽、氮化钛中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上电极的材料是钨、铝、铜、钛、钽、氮化钽、氮化钛中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻变材料层的材料是过渡金属氧化物、固体电解质、硅化物、金属氮化物及金属氮氧化物中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述过渡金属氧化物包括NiO、TiO₂、HfO_x、Cu_xO、ZnO、SrTiO₃、TaO_x。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述固体电解质是GeSe。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料是底部抗反射涂层材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分所述牺牲层包括：回蚀刻所述牺牲层以去除所述牺牲层的一部分。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻或湿法蚀刻工艺去除所述阻变材料层和所述阻挡层未被剩余的牺牲层覆盖的部分。

12.一种阻变存储器，包括：

下电极；

在所述下电极上形成的介电层；

在所述介电层中形成的沟槽/通孔，所述沟槽/通孔底部暴露出所述下电极；以及

在所述沟槽/通孔中依次形成的阻挡层、阻变材料层和上电极。

13.根据权利要求12所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻挡层的材料是钽、氮化钽、钛、氮化钛、氮化锆、氮化钛锆、钨、氮化钨中的一种或多种。

14.根据权利要求12所述的阻变存储器，其特征在于，所述介电层的材料是二氧化硅或低k介电材料。

15.根据权利要求12所述的阻变存储器，其特征在于，所述下电极的材料是钨、铝、铜、钛、钽、氮化钽、氮化钛中的一种或多种。

16.根据权利要求12所述的阻变存储器，其特征在于，所述上电极的材料是钨、铝、铜、钛、钽、氮化钽、氮化钛中的一种或多种。

17.根据权利要求12所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料层的材料是过渡金属氧化物、固体电解质、硅化物、金属氮化物及金属氮氧化物中的一种或多种。