[发明专利]功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法

权利要求书

1.功率半导体模块（1），其包括：

电路板（10），所述电路板具有布置在所述电路板的顶面（10o）上的结构化的第一金属结构（12）和至少一个第二金属结构，所述第二金属结构在垂直的方向处于所述第一金属结构的下方、平行于所述第一金属结构布置并与所述第一金属结构绝缘；

至少一个无壳体的半导体芯片（20），所述半导体芯片布置在所述电路板（10）的所述顶面（10o）上，具有多个接触电极（22），所述多个接触电极（22）通过多条焊线（14）与所述第一金属结构（12）的相应的接触片（23）在所述电路板（10）的所述顶面（10o）上相连接，其中，所述多个接触电极（22）和所述相应的接触片（23）的第一部分在运行时为高电压导通的，并且其中，高电压导通的接触片通过内层连接与所述第二金属结构导电地连接；

绝缘层（30），所述绝缘层（30）完全覆盖所述芯片（20）和围绕所述芯片（20）的所述电路板（10）的分隔区域（31）；

其中，所述高电压导通的接触片（23）和所述内层连接被所述绝缘层（30）完全覆盖；并且

其中，所述多个接触电极（22）和所述相应的接触片（23’）的第二部分在运行时处于低电压。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述电路板（10）安装在具有至少一个布置在其上的功率半导体元件（6）的功率半导体衬底（5）上，其中，处于所述电路板（10）的底面（10u）上的结构化的金属结构与所述功率半导体衬底（5）和/或所述功率半导体元件（6）导电地连接。

3.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块，其中，至少另一个SMD元件布置在所述电路板（10）的所述顶面（10o）和/或所述底面（10u）上。

4.根据权利要求3所述的功率半导体模块，其中，多个附加的元件安装在所述电路板（10）的所述顶面（10o）上，并且围绕所述多个元件的所述电路板（10）的分隔区域（31）被所述绝缘层（30）完全覆盖。

5.用于制造功率半导体模块的方法，其包括以下步骤：

为电路板（10）提供顶面（10o）和底面（10u），其中，在所述顶面和所述底面上布置结构化的金属结构（12）；

为至少一个布置在所述电路板（10）的顶面（10o）上的无壳体的半导体芯片（20）提供多个接触电极（22），所述多个接触电极（22）通过多条焊线（14）与所述结构化的金属结构（12）的相应的接触片（23）在所述电路板（10）的所述顶面（10o）上相连接，其中，所述接触电极（22）和所述相应的接触片（23）的第一部分在运行时为高电压导通的，并且其中，所有高电压导通的接触片（23）通过内层连接与所述结构化的金属结构（12）在所述底面（10u）上或者内层上导电地连接；以及

施加绝缘层（30），所述绝缘层（30）完全覆盖所述芯片和围绕所述芯片（20）的所述电路板（10）的分隔区域（31），其中，所有高电压导通的接触片（23）和所述内层连接被所述绝缘层（30）完全覆盖。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

提供功率半导体衬底（5）；

提供功率半导体元件（6）并且将所述功率半导体元件（6）施加在所述功率半导体衬底（5）上；

在所述功率半导体衬底（5）上施加所述电路板（10），其中，处于所述电路板（10）的所述底面（10u）上的所述结构化的金属结构（12）与所述功率半导体衬底（5）和/或所述功率半导体元件（6）导电地连接。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：

提供至少另一个功率半导体元件（6）并且将其施加在所述电路板（10）的所述顶面（10o）和/或所述底面（10u）上。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

施加绝缘层（30），所述绝缘层（30）完全覆盖所述另一个功率半导体元件（6）和围绕所述功率半导体元件（6）的所述电路板（10）的分隔区域（31）。