[发明专利]蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，相对于蚀刻液组合物的总重量，包含0.1重量％～20重量％的过二硫酸盐化合物、0.01重量％～2重量％的唑类化合物、0.1重量％～10重量％的水溶性胺化合物、0.1重量％～5重量％的磷酸盐化合物、0.001重量％～1重量％的氯化物、0.1重量％～20重量％的有机酸、0.1重量％～2重量％的氟化物、0.1重量％～5重量％的磺酸化合物、以及0.1重量％～5重量％的无机酸以及使整个组合物的总重量成为100重量％的水，和

其中所述水溶性胺化合物是氨基磺酸、环己基氨基磺酸、脂肪胺磺酸、牛磺酸、脂肪胺亚磺酸或氨基乙烷亚磺酸。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述过二硫酸盐化合物是过二硫酸钾、过二硫酸钠及过二硫酸铵中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述唑类化合物是苯并三唑、氨基四唑及咪唑中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述磷酸盐化合物是磷酸二氢钠、磷酸一氢钠、磷酸钠、磷酸二氢铵、磷酸一氢铵、磷酸铵、磷酸二氢钾、磷酸一氢钾、磷酸钾、磷酸二氢钙、磷酸一氢钙及磷酸钙中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述氯化物是盐酸、氯化铵、氯化钾、氯化铁、氯化钠、高氯酸铵、高氯酸钾、高氯酸钠及氯化锌中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述有机酸是草酸、丁酮二酸、延胡索酸、苹果酸、琥珀酸、乙酸、丁酸、酒石酸、抗坏血酸、尿酸、亚磺酸、甲酸、柠檬酸、异柠檬酸、α-酮戊二酸及乙醇酸中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述氟化物是氢氟酸、氟化钠、氟化氢钠、氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸铵、氟化钾、氟化氢钾、氟化铝、氟硼酸、氟化锂、氟硼酸钾及氟化钙中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述无机酸是硝酸、硫酸、磷酸、及高氯酸中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述磺酸化合物是甲基磺酸及苯磺酸中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述蚀刻液组合物是蚀刻半导体材料及包含铜的金属膜的蚀刻液组合物。

11.根据权利要求10所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述半导体材料由含有锌、铟、镓、锡以及它们的混合物中的至少一种的氧化物构成。

12.一种蚀刻液组合物，其特征在于，相对于蚀刻液组合物的总重量，包含0.1重量％～20重量％的过二硫酸盐化合物、0.01重量％～2重量％的唑类化合物、0.1重量％～10重量％的水溶性胺化合物、0.1重量％～5重量％的磷酸盐化合物、0.001重量％～1重量％的氯化物、0.1重量％～20重量％的有机酸以及使整个组合物的总重量成为100重量％的水，和

其中所述水溶性胺化合物是氨基磺酸、环己基氨基磺酸、脂肪胺磺酸、牛磺酸、脂肪胺亚磺酸或氨基乙烷亚磺酸。

13.根据权利要求12所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述过二硫酸盐化合物是过二硫酸钾、过二硫酸钠及过二硫酸铵中的至少一种。

14.根据权利要求12所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述唑类化合物是苯并三唑、氨基四唑及咪唑中的至少一种。