[发明专利]金属表面缺陷的处理方法有效
| 申请号： | 201410497869.1 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104282534B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘珩;占琼;刘天建;周永亮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属表面 缺陷 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属表面缺陷的处理方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半导体结构，所述半导体结构的表面设有Pad区域和非Pad区域，所述Pad区域的上表面具有缺陷晶体；
对该所述半导体结构的上表面覆盖一掩膜层，于刻蚀去除部分所述掩膜层后，所述Pad区域表面完全暴露，未被刻蚀的所述掩膜层覆盖于非优化处理的所述非Pad区域表面，对所述Pad区域的上表面进行干法处理，以将所述缺陷晶体转变为晶体碎片；
去除所述掩膜层，并对所述半导体结构进行湿法清洗处理，以去除所述晶体碎片；
对所述Pad区域的上表面进行钝化处理，以形成一层钝化层。
2.如权利要求1所述的金属表面缺陷的处理方法，其特征在于，所述Pad区域表面的材质为金属。
3.如权利要求2所述的金属表面缺陷的处理方法，其特征在于，所述金属为铝。
4.如权利要求1所述的金属表面缺陷的处理方法，其特征在于，所述晶体为含氟晶体。
5.如权利要求1所述的金属表面缺陷的处理方法，其特征在于，所述干法处理为采用正离子轰击所述Pad区域的上表面。
6.如权利要求5所述的金属表面缺陷的处理方法，其特征在于，所述正离子的能量为2000～3000W。
7.如权利要求1所述的金属表面缺陷的处理方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
