[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置在审
申请号: | 201410498485.1 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN104377318A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 何晓龙;曹占锋;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 显示 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将有机溶剂、电荷控制剂、电致发光聚合物、量子点混合获得静电纺丝溶液;
将上述静电纺丝溶液通过静电纺丝工艺,将量子点均匀分散于电致发光聚合物形成量子点有机电致发光膜。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂包括正己烷、环己烷、氯仿中的任意一种或多种。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述电荷控制剂包括二甲基亚酰胺。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述电致发光聚合物包括聚苯、梯形聚苯、聚茚并芴、聚芴及其衍生物中的任意一种或多种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述量子点包括CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlP、AlSb中任意一种或多种。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述量子点为具有核壳结构的量子点。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述具有核壳结构的量子点包括CdSe/CdS,CdSe/CdS/ZnS中任意一种或多种。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,在所述静电纺丝溶液中以质量百分比计包括:电荷控制剂1-5%;电致发光聚合物10-30%;量子点物质1-5%和余量的有机溶剂。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述的静电纺丝工艺的中电纺电压为15-40kV,针管直径为3-5mm,静电纺丝溶液的注射速度为0.2-2.0mL/h,形成静电电场的两电极的间距为10-30cm。
10.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件是采用如权利要求1-9任一项所述方法制备的。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件包括量子点有机电致发光膜,所述量子点有机电致发光膜中相邻量子点之间的平均距离为量子点平均粒径的3-10倍。
12.根据权利要求10所述的有机电致发光器件,其特征在于,在所述量子点有机电致发光膜的一侧依次设有空穴传输层、空穴注入层、阳极;在所述量子点有机电致发光膜的另一侧依次设空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极。
13.一种有机电致发光显示基板,其特征在于,所述的有机电致发光显示基板包括如权利要求10-12任一项所述有机电致发光器件。
14.一种有机电致发光显示装置,其特征在于,所述的有机电致发光显示装置包括如权利要求13所述的有机电致发光显示基板。
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