[发明专利]横向高压半导体器件的耐高压结构

权利要求书

1.一种横向高压半导体器件的耐高压结构，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

第二导电类型的第一掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区和第一导电类型的第三掺杂区，所述第三掺杂区、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均位于所述半导体衬底的表层，且所述第一掺杂区位于所述表层中部，所述第三掺杂区和所述第二掺杂区分别位于所述第一掺杂区的两侧，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度；

低压端，与所述第三掺杂区相连；

高压端，与所述第二掺杂区相连；

场氧化层，位于所述低压端和所述高压端之间、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的上表面；

第一多晶硅，所述第一多晶硅位于所述场氧化层的上表面，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的交界面位于所述第一多晶硅的覆盖范围内；

和/或第一金属，所述第一金属位于介质层的上表面，所述介质层位于所述场氧化层、所述高压端和所述低压端的上表面，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的交界面位于所述第一金属的覆盖范围内；

其中，所述第一多晶硅和所述第一金属的横向宽度均小于所述场氧化层的横向宽度，且分别在2～10微米范围内；

还包括：

第二导电类型的第四掺杂区，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区的下方，所述第四掺杂区的横向宽度大于所述第二掺杂区的横向宽度、小于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的横向宽度之和；

所述第四掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度；

还包括：

第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述场氧化层的上表面，所述第四掺杂区靠近所述低压端的端面位于所述第二多晶硅的覆盖范围内；

和/或第二金属，所述第二金属位于所述介质层的上表面，所述第四掺杂区靠近所述低压端的端面位于所述第二金属的覆盖范围内；

其中，所述第二多晶硅和所述第二金属的横向宽度均小于所述场氧化层的横向宽度，且分别在2～10微米范围内；

所述第一多晶硅和所述第二多晶硅不连接任何电位；所述第一金属和所述第二金属不连接任何电位。

2.根据权利要求1所述的横向高压半导体器件的耐高压结构，其特征在于，还包括：

第三多晶硅，所述第三多晶硅位于所述场氧化层的上表面且与所述高压端相连；

和/或第三金属，所述第三金属位于所述介质层的上表面，所述第三多晶硅位于所述第三金属的覆盖范围内，所述第三金属与所述高压端相连；

其中，所述第三多晶硅和所述第三金属的横向宽度均小于所述场氧化层的横向宽度。

3.根据权利要求1或2所述的横向高压半导体器件的耐高压结构，其特征在于，还包括：

第四多晶硅，所述第四多晶硅位于所述场氧化层的上表面且与所述低压端相连；

和/或第四金属，所述第四金属位于所述介质层的上表面，所述第四多晶硅位于所述第四金属的覆盖范围内，所述第四金属与所述低压端相连；

其中，所述第四多晶硅和所述第四金属的横向宽度均小于所述场氧化层的横向宽度。

4.根据权利要求3所述的横向高压半导体器件的耐高压结构，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者

所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

5.根据权利要求4所述的横向高压半导体器件的耐高压结构，其特征在于，若所述第一导电类型为N型，则所述高压端连接负的高电位；若所述第一导电类型为P型，则所述高压端连接正的高电位。