[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，包括形成薄膜晶体管的步骤，其特征在于，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：

在基板上形成有源层图案；

在所述有源层图案上形成绝缘结构；

在所述绝缘结构中形成第一过孔，所述第一过孔延伸至所述有源层图案中；

通过所述第一过孔对有源层图案进行离子注入，形成离子注入区，所述离子注入区位于有源层图案中；

在所述绝缘结构上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极通过所述第一过孔与离子注入区的表面接触，从而与有源层图案电性接触；

所述制作方法还包括形成存储电容的步骤；

具体在所述基板上形成多晶硅膜层，对所述多晶硅膜层进行构图工艺，形成包括有源层图案和存储电容的第一电极的图案；

对所述有源层图案除沟道区域以外的区域进行离子注入，形成第一掺杂多晶硅有源层，以及对第一电极的图案进行离子注入，形成第二掺杂多晶硅有源层，作为存储电容的第一电极；

在所述有源层图案和第一电极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，形成包括栅电极和存储电容的第二电极的图案；

在所述栅电极和第二电极上形成层间绝缘层；

形成贯穿所述栅绝缘层和层间绝缘层的第一过孔，所述第一过孔延伸至所述第一掺杂多晶硅有源层中；

通过所述第一过孔对所述第一掺杂多晶硅有源层进行离子注入，形成离子注入区；

在所述层间绝缘层上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极通过所述第一过孔与离子注入区的表面接触，进而与第一掺杂多晶硅有源层电性接触。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在所述有源层图案和第一电极的图案上形成光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶的图案；

以所述光刻胶图案为阻挡，对所述有源层图案除沟道区域以外的区域进行离子注入，形成第一掺杂多晶硅有源层，以及对第一电极的图案进行离子注入，形成第二掺杂多晶硅有源层，作为存储电容的第一电极。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述阵列基板为有源矩阵有机发光二极管阵列基板；

所述制作方法还包括：

在所述源电极和漏电极上形成平坦层；

在所述平坦层中形成第二过孔，露出漏电极；

在所述平坦层上形成有机发光二极管的阴极，所述阴极通过所述第二过孔与漏电极电性接触，所述存储电容的第一电极与所述有机发光二极管的阴极电性连接。

4.一种阵列基板，包括薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

位于基板上的有源层图案；

覆盖所述有源层图案的绝缘结构，所述绝缘结构中包括第一过孔，所述第一过孔延伸至所述有源层图案中；

离子注入区，位于所述有源层图案中且与所述第一过孔的位置对应的区域；

设置在所述绝缘结构上的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极通过所述第一过孔与离子注入区的表面接触，进而与有源层图案电性接触；

所述阵列基板还包括：存储电容；

所述阵列基板还包括：位于基板上的第二掺杂多晶硅有源层图案，作为所述存储电容的第一电极；

所述有源层图案包括多晶硅有源层和位于所述多晶硅有源层两侧的第一掺杂多晶硅有源层，所述离子注入区位于所述第一掺杂多晶硅有源层中；

覆盖所述有源层图案和第二掺杂多晶硅有源层的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上的栅电极和存储电容的第二电极，所述栅电极和第二电极由同一栅金属层形成；

覆盖所述栅电极和第二电极的层间绝缘层，所述栅绝缘层和层间绝缘层中形成有第一过孔，所述第一过孔延伸至所述离子注入区中；

设置在所述层间绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极通过所述第一过孔与离子注入区表面接触，进而与第一掺杂多晶硅有源层电性接触。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为有源矩阵有机发光二极管阵列基板；

所述阵列基板还包括：

覆盖源电极和漏电极的平坦层，所述平坦层中形成有第二过孔，露出漏电极；

设置在所述平坦层上的有机发光二极管的阴极，所述阴极通过所述第二过孔与漏电极电性接触，所述存储电容的第一电极与所述有机发光二极管的阴极电性连接。

6.一种显示装置，包括权利要求4或5所述的阵列基板。