[发明专利]一种LED光子晶体结构的单元图形及其使用方法

权利要求书

1.一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，其特征在于，所述光子晶体结构的单元图形包括光子晶体结构图形，所述光子晶体结构图形特征为内圈为正六边形，外圈为正十二边形的图形结构，所述内圈和所述外圈的边长均为s，其中s大于两倍投影光刻机最小分辨率R。

2.如权利要求1所述包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，其特征在于，以所述光子晶体结构图形特征为第一层的扩展图形，其中每层扩展均使单元图形的间距为n为向外扩展的层数，其中，n为正整数。

3.如权利要求2所述包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，其特征在于，在所述扩展图形中选取边长为a、b的矩形作为单元图形，所述矩形单元中心与光子晶体结构中心重合，其中n为所述光子晶体结构图形特征向外扩展的层数，相邻图形中心间距为s，把含所述单元图形的掩模图像作为曝光场曝光视场区域，所述b为X方向曝光步进距离，所述a为Y方向曝光步进或扫描距离。

4.如权利要求3所述包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，其特征在于，所述曝光视场区域用于进行拼接曝光。

5.一种光子晶体工艺层的光刻拼接方法，其特征在于，包括：

步骤一、定义一光子晶体结构图形特征，所述光子晶体结构图形特征为内圈为正六边形，外圈为正十二边形的图形结构，所述内圈和所述外圈的边长均为s，其中s大于两倍投影光刻机最小分辨率R；

步骤二、根据所述光子晶体结构图形特征形成以光子晶体结构；

步骤三、在光子晶体结构中提取六边形结构作为单元图形；

步骤四、将含所述单元图形的掩模图像作为曝光场曝光视场区域。

6.如权利要求5所述的光刻拼接方法，其特征在于，所述步骤二具体包括：以所述光子晶体结构图形特征为第一层的扩展图形，其中每层扩展均使单元图形的间距为n为向外扩展的层数，其中，n为正整数。

7.如权利要求5所述的光刻拼接方法，其特征在于，所述步骤三具体包括：在所述扩展图形中选取边长为a、b的矩形作为单元图形，所述矩形单元中心与光子晶体结构中心重合，其中n为光子晶体结构向外扩展的层数，相邻图形中心间距为s，其中，n为正整数。

8.如权利要求5所述的光刻拼接方法，其特征在于，所述步骤四具体包括：将含所述单元图形的掩模图像作为为曝光场曝光视场区域，以b为X方向曝光步进距离，以a为Y方向曝光步进或扫描距离。

9.一种LED光子晶体工艺层的制作方法，其特征在于，包括：

步骤一、制作LED芯片衬底；

步骤二、沉积光子晶体工艺层；

步骤三、使用一包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，根据六边形框架，沿X及Y向步进或扫描进行拼接曝光；

步骤四、刻蚀形成光子晶体图形工艺层。

10.如权利要求9所述的LED光子晶体工艺层的制作方法，其特征在于，所述步骤二进一步包括：定义一光子晶体结构图形特征，所述光子晶体结构图形特征为一距图形中心间距均为s，内圈为正六边形，外圈为正十二边形的图形结构，其中s大于两倍投影光刻机最小分辨率为R。

11.如权利要求10所述的LED光子晶体工艺层的制作方法，其特征在于，所述步骤二进一步包括：以所述光子晶体结构图形特征为第一层的扩展图形，其中每层扩展均使所述单元图形的间距为n为向外扩展的层数，其中，n为正整数。

12.如权利要求11所述的LED光子晶体工艺层的制作方法，其特征在于，所述步骤二进一步包括：在所述扩展图形中选取边长为a、b的矩形作为所述单元图形，所述矩形单元中心与光子晶体结构中心重合，其中n为光子晶体结构向外扩展的层数，相邻图形中心间距为s。