[发明专利]一种提高清洗效率的方法在审
申请号: | 201410499431.7 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN105448659A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 陈林;李广宁 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 清洗 效率 方法 | ||
1.一种提高机台清洗效率的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一机台,所述机台包括有一腔室;
在所述反应腔室内通入第一气体的同时,通入含氧等离子体;
通入惰性气体,以提升腔室内气体均匀性;
通入第二气体,并进行多次充气和抽气的循环处理;
通入NxHy气体。
2.如权利要求1所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,所述机台为CVD机台。
3.如权利要求1所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,所述第一气体为含F元素的刻蚀气体。
4.如权利要求3所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,所述含F元素的刻蚀气体为CF4或NF3。
5.如权利要求1所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,所述含氧等离子体为含O3的等离子体。
6.如权利要求5所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,所述含O3的等离子体为O3等离子体或O3和O2混合的等离子体。
7.如权利要求6所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,采用如下方法通入所述含O3等离子体:
在腔室外生成含O3的等离子体,然后将所述含O3的等离子体通入所述腔室;或
将含O3的气体直接通入腔室,并进行等离子处理,以在腔室内生成含O3的等离子体。
8.如权利要求1所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,所述惰性气体为He气体。
9.如权利要求1所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,所述第二气体为N2。
10.如权利要求1所述的提高机台清洗效率的方法,其特征在于,所述NxHy气体为N2H2气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造