[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法及薄膜晶体管制造方法

权利要求书

1.一种形成多晶硅薄膜的方法，包括：

步骤A：在基板上沉积第一非晶硅薄膜；

步骤B：进行激光退火工艺，使所述第一非晶硅薄膜转化为第一多晶硅薄膜；

步骤C：用氩离子轰击所述第一多晶硅薄膜的表面，使所述第一多晶硅薄膜转化为第二非晶硅薄膜；以及

步骤D：进行活化步骤，形成第二多晶硅薄膜。

2.如权利要求1所述的形成多晶硅薄膜的方法，其中，所述步骤C和所述步骤D重复执行。

3.如权利要求1所述的形成多晶硅薄膜的方法，其中，所述步骤C中是通过离子注入机注入氩离子对所述第一多晶硅薄膜进行轰击。

4.如权利要求1所述的形成多晶硅薄膜的方法，其中，所述步骤A之前还包括：

步骤A1：在所述基板上沉积氮化硅薄膜；以及

步骤A2：在所述氮化硅薄膜上沉积氧化硅薄膜。

5.如权利要求4所述的形成多晶硅薄膜的方法，其中，在所述步骤A和所述步骤B之间还包括：

步骤B1：对所述基板上沉积的所述氮化硅薄膜、所述氧化硅薄膜和所述第一非晶硅薄膜进行脱氢处理；以及

步骤B2：对所述基板、所述氮化硅薄膜、所述氧化硅薄膜和所述第一非晶硅薄膜进行清洁。

6.如权利要求5所述的形成多晶硅薄膜的方法，其中，所述步骤D之后还包括：

步骤E1：对所形成的第二多晶硅薄膜制作布线图案形成半导体层。

7.如权利要求1所述的形成多晶硅薄膜的方法，其中，步骤B中是使用激光照射所述第一非晶硅薄膜，将所述第一非晶硅薄膜加热熔化生成第一多晶硅薄膜。

8.如权利要求1所述的形成多晶硅薄膜的方法，其中，步骤D中是通过将所述第二非晶硅薄膜的晶格重置使所述第二非晶硅薄膜转化为第二多晶硅薄膜。

9.如权利要求1所述的形成多晶硅薄膜的方法，其中，步骤D中是使用激光活化方法形成第二多晶硅薄膜。

10.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

步骤A’：在基板上沉积第一非晶硅薄膜；

步骤B’：进行激光退火工艺，使所述第一非晶硅薄膜转化为第一多晶硅薄膜；

步骤C’：用氩离子轰击生成的所述第一多晶硅薄膜的表面，使所述第一多晶硅薄膜转化为第二非晶硅薄膜；

步骤D’：进行活化步骤，形成第二多晶硅薄膜；

步骤E’：在步骤D’中生成的所述第二多晶硅薄膜制作布线图案，形成半导体层；

步骤F’：形成覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；

步骤G’：在所述栅极绝缘层上形成栅电极：

步骤H’：在所述栅电极的两侧形成源极区域和漏极区域；以及

步骤I’：分别形成对应于所述源极区域和漏极区域的源电极和漏电极。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述步骤C’和所述步骤D’重复执行。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述步骤C’中是通过离子注入机注入氩离子对所述第一多晶硅薄膜进行轰击。

13.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述步骤A’之前还包括：

在所述基板上沉积氮化硅薄膜；以及

在所述氮化硅薄膜上沉积氧化硅薄膜。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，在所述步骤A’和所述步骤B’之间还包括：

对所述基板上沉积的所述氮化硅薄膜、所述氧化硅薄膜和所述第一非晶硅薄膜进行脱氢处理；以及

对所述基板、所述氮化硅薄膜、所述氧化硅薄膜和所述第一非晶硅薄膜进行清洁。

15.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，步骤B’中是使用激光照射所述第一非晶硅薄膜，将所述第一非晶硅薄膜加热熔化生成第一多晶硅薄膜。

16.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，步骤D’中是通过将所述第二非晶硅薄膜的晶格重置使所述第二非晶硅薄膜转化为第二多晶硅薄膜。

17.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，步骤D’中是使用激光活化方法形成第二多晶硅薄膜。