[发明专利]一种基于光栅泰伯效应的检焦方法有效

专利信息
申请号: 201410500277.0 申请日: 2014-09-25
公开(公告)号: CN104238284A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 朱咸昌;胡松;赵立新 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 杨学明;顾炜
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 光栅 效应 方法
【权利要求书】:

1.一种基于光栅泰伯效应的检焦方法,其特征在于:检测系统由光源(1)、光束准直扩束系统(2)、第一透镜组(Lens_1)和第二透镜组(Lens_2)组成的4f光学系统、被测硅片(3)、衍射光栅(4)和CCD探测器(5)组成;第一透镜组(Lens_1)和第二透镜组(Lens_2)组成的4f光学系统:当被测硅片(3)位于4f系统的共焦面上时,准直扩束系统(2)的出射平面波前经过4f光学系统后仍为平面波前,并通过衍射光栅(4)形成其泰伯自成像;当被测硅片(3)离焦时,光束准直扩束系统(2)的出射平面波前经过4f光学系统后为球面波前,衍射光栅(4)的泰伯自成像的周期和位相产生差异,通过CCD探测器(5)完成平面和球面波前的泰伯自成像测量,即可完成硅片的检焦测量。

2.根据权利要求1所述的检焦方法,其特征在于:当被测硅片(3)位于4f光学系统的共焦位置时,平面波前通过衍射光栅(4)成像,根据光栅衍射原理,平面波前A入射光栅时,CCD探测器(5)中形成周期性的干涉条纹即泰伯自成像周期与衍射光栅(4)周期p相同;当被测硅片(3)离焦时,CCD探测器(5)中产生由球面波前产生的干涉条纹,分析其周期为:

ps=L-zLp=p±szf2p]]>

其中衍射光栅(4)位于第二透镜组(Lens_2)的后焦面位置,L为球面波前会聚中心与光栅距离,s为硅片离焦量,f为第二透镜组(Lens_2)的焦距,通过测量衍射光栅(4)的泰伯自成像周期其相位差,即可完成被测硅片(3)的高精度检焦。

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