[发明专利]利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法在审
申请号: | 201410500353.8 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN104377117A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 杨健;司朝伟;韩国威;宁瑾;赵永梅;梁秀琴 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 相对 腐蚀 金属 制备 另一种 图形 剥离 方法 | ||
1.一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,包括以下步骤:
1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属;
2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶,采用常规光刻工艺进行光刻,制作图形;
3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属,在易腐蚀金属上形成沟槽,通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀;
4)通过蒸发或溅射工艺,在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属,形成样片;
5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中,将易腐蚀金属腐蚀掉,得到了衬底上的金属图形;
6)用去离子水清洗,完成制备。
2.如权利要求1所述的利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,其中步骤1中生长的易腐蚀金属的厚度大于待剥离金属的厚度。
3.如权利要求1所述的利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,其中步骤3中所述沟槽为“上窄下宽”的沟槽,该沟槽的宽度为0.1-10000μm。
4.如权利要求1所述的利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,其中步骤5中样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中,加入超声振荡以加速易腐蚀金属的腐蚀过程。
5.如权利要求1所述的利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,其中易腐蚀金属的材料为铁、锌或钼。
6.如权利要求1所述的利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,其中金属的材料为铝、铬或镍。
7.如权利要求1所述的利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,其中腐蚀液为盐酸、磷酸、醋酸、硫酸、氨水、氢氧化钠或氢氧化钾腐蚀液,或是氯化铁具有氧化性的金属盐溶液,或是双氧水与氨水的具有强氧化性的混合溶液,或者上述溶液的混合溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造