[发明专利]滤屏与中子束源

权利要求书

1.一种滤屏，包括：

第一层，由铁组成；

第二层，由1体积份的氟化锂、20至50体积份的铝、与50至80体积份的氟化铝组成；以及

第三层，由1重量份的氟化锂与99至100重量份的氟化镁组成，

其中该第二层位于该第一层与该第三层之间。

2.如权利要求1所述的滤屏，其中该滤屏的总厚度介于67.5cm至70cm之间，且该滤屏的截面半径介于40cm至60cm的圆形。

3.如权利要求1所述的滤屏，其中该第一层的厚度介于25cm至40cm之间，该第二层的厚度介于10cm至37.5cm之间，且该第三层的厚度介于5cm至20cm之间。

4.一种中子束源，包括：

加速器；

铍靶材；以及

权利要求1所述的滤屏，

其中该铍靶材位于该加速器与该滤屏之间，且该滤屏的第一层位于该铍靶材与该第三层之间。

5.如权利要求4所述的中子束源，其中：

该加速器产生30MeV/1mA的质子束，该滤屏的第一层的厚度介于25cm至40cm之间，该第二层的厚度介于10cm至37.5cm之间，且该第三层的厚度介于5cm至20cm之间。

6.如权利要求4所述的中子束源，其中：

该加速器产生29MeV/1mA的质子束，该滤屏的第一层的厚度介于25cm至37.5cm之间，该第二层的厚度介于12.5cm至37.5cm之间，且该第三层的厚度介于5cm至17.5cm之间。

7.如权利要求4所述的中子束源，其中：

该加速器产生31MeV/1mA的质子束，该滤屏的第一层的厚度介于27.5cm至40cm之间，该第二层的厚度介于10cm至35cm之间，且该第三层的厚度介于7.5cm至20cm之间。

8.如权利要求4所述的中子束源，其中：

该加速器产生30MeV/1mA的质子束撞击该铍靶材，以产生中子；以及

中子穿过该滤屏后，产生调整后的中子束，其中调整后的中子束的超热中子通率介于1.7×10⁹～1.9×10⁹cm^-2s^-1，且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2.9×10^-11～3.5×10^-11cGy cm²。

9.如权利要求4所述的中子束源，其中：

该加速器产生29MeV/1mA的质子束撞击该铍靶材，以产生中子；以及

中子穿过该滤屏后，产生调整后的中子束，其中调整后的中子束的超热中子通率介于1.7×10⁹～1.9×10⁹cm^-2s^-1，且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2.9×10^-11～3.5×10^-11cGy cm²。

10.如权利要求4所述的中子束源，其中：

该加速器产生31MeV/1mA的质子束撞击该铍靶材，以产生中子；以及

中子穿过该滤屏后，产生调整后的中子束，其中调整后的中子束的超热中子通率介于1.7×10⁹～1.9×10⁹cm^-2s^-1，且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2.9×10^-11～3.7×10^-11cGy cm²。

11.如权利要求4所述的中子束源，还包括一汇聚元件，且该滤屏位于该铍靶材与该汇聚元件之间。