[发明专利]一种金属掩模板切割设备

说明书

本发明公开了一种金属掩模板切割设备，其包括：机台；绷网组件；运动导轨；还包括激光斜切装置，所述激光斜切装置上倾斜设置有可绕一平行于Z轴导轨的轴线进行旋转的激光切割头，所述激光斜切装置直接或间接安装在所述Z轴导轨上，可随Z轴导轨在X轴导轨、Y轴导轨上进行X、Y轴向的运动，也可以在Z轴导轨上做Z轴方向的运动，所述激光斜切装置可对绷拉在所述绷网组件上的金属掩模板进行切割，形成掩模开口，本发明提供的金属掩模板切割设备能够切割出开口侧壁为倾斜面的掩模板，所述掩模板的开口截面为梯形结构，其能够避免掩模板在蒸镀沉积有机材料时产生蒸镀效应。

技术领域

本发明属于激光切割领域，具体涉及一种金属掩模板切割设备。

背景技术

有机发光显示器（Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）是下一代的显示技术，与目前使用的液晶显示器( Liquid Crystal Display ,简称LCD)显示技术相比，具有可视角大，色彩艳丽，功耗低等优点，会逐渐替代目前主流的液晶显示技术。

在OLED显示器面板的制作过程中，其中有机层的沉积会使用到掩模板，图1所示为采用掩模板蒸镀有机材料的示意图。掩模板10由于比较薄，在蒸镀前会通过相关工艺固定在掩模外框11上，图2所示为掩模板固定在掩模外框11上的平面示意图。蒸镀时，掩模板10借助掩模外框11固定在支撑台12上，蒸镀源13中的有机材料通过蒸发扩散至掩模板10下方，掩模板10上在一定的位置设置有开口100，有机材料通过开口100沉积在沉积基板14上对应的位置处，形成有机沉积层。

在技术要求上，有机沉积层的沉积质量对后期产品质量有非常大的影响，故在蒸镀沉积过程中对沉积基板14上沉积区域的边缘精度及均匀性要求非常高。为了能够实现有机材料很好的蒸镀到沉积基板14上，必须减少掩模板开口边缘对有机沉积层的影响，即减少如图3所示的蒸镀效应（由于掩模板开口边缘对有机材料130沉积的遮挡影响，导致有机沉积层131边缘厚度不均匀），掩模板的开口截面往往设计成图4所示的“凹形”结构，该“凹形”结构一般是通过化学蚀刻工艺制得，然而基于蚀刻工艺的掩模板制作技术会对环境带来污染。

基于此，业界希望采用环境友好的工艺制作掩模板，以期在不损害环境的前提下制作能够满足OLED有机层沉积用的掩模板，通过激光切割工艺制作掩模板具有环境友好的优点，但传统激光设备切割薄材形成的开口形貌如图3所示，如此形貌的开口带来的缺陷如上所述，其不能满足OLED显示器面板有机层高质量沉积的要求。

故此，业界亟需探索新的方式制作掩模板，以期在满足环境友好的前提下，能够较好的满足掩模板高质量开口的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种金属掩模板切割设备，旨在克服现有技术中的缺陷，以更好的满足具有高精密开口的掩模板的切割应用。

根据本专利背景技术中对现有技术所述，目前OLED蒸镀用掩模板制作所使用的方法有两种：其一，通过蚀刻工制作横截面为“凹形”结构的开口，然而基于蚀刻工艺的掩模板制作技术会对环境带来污染；其二，通过激光切割工艺制作掩模板具有环境友好的优点，但传统激光设备切割薄材形成的开口会带来蒸镀效应。