[发明专利]电池电压采样电路及采样方法、电池包电压检测系统

权利要求书

1.一种电池电压采样电路，其特征在于，所述电池电压采样电路至少包括：

偏置信号输入端，用于接收与所述电池电压采样电路对应的偏置信号；

偏置电路，连接于所述偏置信号输入端、待采样电池以及芯片地端，用于在所述偏置信号输入端接收到所述偏置信号后，控制所述电池电压采样电路使能，并提供偏置电流；

电池电压分压电路，连接于所述待采样电池、所述偏置电路，用于接收所述待采样电池的浮空电压，并将所述浮空电压进行分压；

运算放大器电路，其正输入端连接于所述电池电压分压电路，两个电源输入端分别连接于所述待采样电池和所述偏置电路，用于在其中一个电源输入端接收到所述偏置电路提供的偏置电流后，将所述电池电压分压电路输出的电压信号从所述运算放大器电路的正输入端复制到所述运算放大器电路的负输入端；

电压转电流电路，连接于所述待采样电池、所述运算放大器电路的负输入端和输出端，用于将所述运算放大器电路的负输入端的电压信号转化为电流信号；

电流转电压模块，连接于所述电压转电流电路、所述芯片地端，用于使所述电压转电流电路输出的电流信号转化为对地电压，并输出采样电压；其中，

在所述待采样电池为高端电池时，所述偏置电路至少包括：第一高端NMOS管，第二高端NMOS管，第三高端NMOS管，第四高端NMOS管，第五高端NMOS管，第一高端PMOS管和第二高端PMOS管；其中，所述第一高端NMOS管的漏极与所述偏置信号输入端连接，所述第一高端NMOS管的漏极还与其栅极连接，所述第一高端NMOS管的栅极还与所述第二高端NMOS管和第三高端NMOS管的栅极连接，所述第一高端NMOS管的源极与所述第二高端NMOS管和第三高端NMOS管的源极连接后接入所述芯片地端，所述第三高端NMOS管的漏极与所述运算放大器电路的负电源输入端连接；所述第二高端NMOS管的漏极与所述第二高端PMOS管的漏极连接，所述第二高端PMOS管的漏极还与其栅极连接，所述第二高端PMOS管的栅极还与所述第一高端PMOS管的栅极连接，所述第二高端PMOS管的源极与所述第一高端PMOS管的源极连接后接入所述待采样电池的正极；所述第一高端PMOS管的漏极与所述第五高端NMOS管的漏极连接，所述第五高端NMOS管的漏极还与其栅极连接，所述第五高端NMOS管的栅极还与所述第四高端NMOS管的栅极连接，所述第五高端NMOS管的源极与所述第四高端NMOS管的源极连接后接入所述待采样电池的负极，所述第四高端NMOS管的漏极与所述电池电压分压电路连接；其中，所述偏置信号为高端偏置电流信号；在所述偏置信号输入端接收到所述偏置信号后，所述偏置信号经由所述第一高端NMOS管依次镜像至第二高端NMOS管、第二高端PMOS管、第一高端PMOS管、第五高端NMOS管和第四高端NMOS管，以使各高端MOS管导通；所述偏置信号还经由所述第一高端NMOS管镜像至第三高端NMOS管，以向所述运算放大器电路提供偏置电流；

在所述待采样电池为低端电池时，所述偏置电路至少包括：第一低端PMOS管，第二低端PMOS管，第三低端PMOS管，第四低端PMOS管，第五低端PMOS管，第一低端NMOS管和第二低端NMOS管；其中，所述第一低端PMOS管的漏极与所述偏置信号输入端连接，所述第一低端PMOS管的漏极还与其栅极连接，所述第一低端PMOS管的栅极还与所述第二低端PMOS管和第三低端PMOS管的栅极连接，所述第一低端PMOS管的源极与所述第二低端PMOS管和第三低端PMOS管的源极连接后接入所述电源电压，所述第三低端PMOS管的漏极与所述运算放大器电路的正电源输入端连接；所述第二低端PMOS管的漏极与所述第二低端NMOS管的漏极连接，所述第二低端NMOS管的漏极还与其栅极连接，所述第二低端NMOS管的栅极还与所述第一低端NMOS管的栅极连接，所述第二低端NMOS管的源极与所述第一低端NMOS管的源极连接后接入所述待采样电池的负极；所述第一低端NMOS管的漏极与所述第五低端PMOS管的漏极连接，所述第五低端PMOS管的漏极还与其栅极连接，所述第五低端PMOS管的栅极还与所述第四低端PMOS管的栅极连接，所述第五低端PMOS管的源极与所述第四低端PMOS管的源极连接后接入所述待采样电池的正极，所述第四低端PMOS管的漏极与所述电池电压分压电路连接；其中，所述偏置信号为低端偏置电流信号；在所述偏置信号输入端接收到所述偏置信号后，所述偏置信号经由所述第一低端PMOS管依次镜像至第二低端PMOS管、第二低端NMOS管、第一低端NMOS管、第五低端PMOS管和第四低端PMOS管，以使各低端MOS管导通；所述偏置信号还经由所述第一低端PMOS管镜像至第三低端PMOS管，以向所述运算放大器电路提供偏置电流。