[发明专利]导电性构件、处理盒和电子照相设备有效
申请号: | 201410503046.5 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN104516234B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 村中则文;山内一浩;菊池裕一;大塚幸治;井本雅规;日野哲男;西冈悟 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/02 | 分类号: | G03G15/02;G03G21/18 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 构件 处理 电子 照相 设备 | ||
技术领域
本发明涉及通过放电使被充电构件充电的导电性构件,特别是,可用作用于电子照相设备的充电构件、转印构件等的导电性构件,以及使用该导电性构件的处理盒和电子照相设备。
背景技术
通过放电使被充电构件充电的导电性构件用于电子照相设备、臭氧产生设备、除电设备、空气滤清器、静电集尘器、静电涂布设备或静电吸附设备等。特别是,电子照相设备中,例如,使用如充电构件或转印构件等导电性构件。
电子照相设备中,将导电性构件与包括用作被充电构件的电子照相感光构件或介电构件的记录介质接触配置或接近配置,并且由于通过重叠交流电压获得的直流电压或仅直流电压的施加使得通过放电使此类被充电构件的表面进行充电处理。
近几年,随着电子照相图像形成过程的高速化,使被充电构件充电所花费的时间已相对较短。该趋势对于使被充电构件稳定地且可靠地充电是不利的。具体地,电子照相图像形成过程的高速化使得难以赋予被充电构件表面充分的充电电位。鉴于该问题,日本专利申请特开2005-316263公开了其中充电构件的最外层包含铁电颗粒从而导致介电常数的增加,由此导致放电电流量的增加的技术。
此外,日本专利申请特开2004-245933公开了其中位于多层充电构件的表面层以下的至少一层为电阻高的层从而使得充电性能改善的技术。
根据本发明人的研究,为了在高速化的电子照相图像形成过程中赋予被充电构件充分的充电电位,需要提高施加至导电性构件的电压。然而,当提高日本专利申请特开2005-316263和日本专利申请特开2004-245933各自公开的充电构件的施加的电压时,可能诱发局部的强放电(以下,也称为“异常放电”),从而妨碍稳定放电并且由于异常放电引起从几十微米至几毫米范围内的图像不均匀。
发明内容
本发明的目的是提供具有稳定的充电性能使得即使当施加电压提高时也几乎不引起异常放电的导电性构件。
此外,本发明的目的是提供能够稳定地形成高品质电子照相图像的电子照相设备和处理盒。
根据本发明的一方面,提供一种导电性构件,其包括:导电性支承体,和形成于导电性支承体上的表面层,其中
表面层包括具有连续开孔的多孔体,和
导电性构件满足以下(1)和(2):
(1)在导电性构件的表面带电的情况下,从放电完成经过10秒后的导电性构件的表面电位为10V以上,所述导电性构件的表面的带电利用电晕放电单元、通过将8kV的电压施加至电晕放电单元并从其放电来进行,所述电晕放电单元配置为电晕放电单元的栅格部距导电性构件的表面1mm;和
(2)当在作为被充电构件的聚对苯二甲酸乙二酯膜与导电性构件之间施加直流电压,并且使聚对苯二甲酸乙二酯膜充电时,在|Vin|>|Vth|的范围内满足|Vd|≥|Vin|-|Vth|,
其中,
Vd表示聚对苯二甲酸乙二酯膜的充电电位,
Vin表示在导电性构件与聚对苯二甲酸乙二酯膜之间施加的电压,
Vth表示放电起始电压。
根据本发明的另一方面,提供处理盒,其构成为可拆卸地安装至电子照相设备的主体,所述处理盒包括导电性构件和电子照相感光构件。根据本发明的另一方面,提供包括导电性构件和电子照相感光构件的电子照相设备。
参考附图,从以下示例性实施方案的描述中,本发明的进一步特征将变得显而易见。
附图说明
图1为示出导电性构件的放电特性的一个实例的图。
图2A为示出垂直于作为导电性构件的一个实例的充电辊的轴方向的截面的图。
图2B为示出垂直于作为导电性构件的一个实例的充电辊的轴方向的截面的图。
图3为用于说明作为表面层的制造方法的一个实例的电纺丝法的图。
图4为通过电纺丝法制备的表面层的截面图像。
图5为通过利用斯宾那多分解(spinodal decomposition)的方法制备的表面层的截面图像。
图6为示出电子照相用处理盒的一个实例的图。
图7为示出电子照相设备的一个实例的图。
具体实施方式
现在将根据附图详细描述本发明的优选实施方案。
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