[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种例如作为移动终端用的多频带放大器使用的半导体装置。

背景技术

在专利文献1中，公开了针对RF信号的各个频带而切换输出路径的开关电路。该开关电路由多个场效应晶体管构成。

专利文献1：日本特开2005－269129号公报

非专利文献：Nick Cheng，James P.Young，“Challenges and Requirements of Multimode Multiband Power Amplifiers for Mobile Applications”Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium(CSICS)，pp.1-4，2011

例如，由于在移动终端等中使用具有正电位的单一的电池，所以，作为开关的结构要素而使用增强型的场效应晶体管(FET)。该场效应晶体管在向形成为RF信号的路径的漏极-源极之间施加有正的DC偏置电压的状态下使用。而且，如果向栅极施加正电压，则沟道开启，漏极-源极之间成为导通状态，如果将栅极置为0V，则沟道夹断，漏极-源极之间成为截止状态。

为了使得上述DC偏置电压不漏出，需要在开关的前后设置DC切断用的电容器。专利文献1的DC切断用的电容器由SMD(Surface Mount Device)部件构成。

优选具有开关的半导体装置尽可能的小型化。但是，存在如果由SMD部件形成DC切断用的电容器，则导致半导体装置大型化的问题。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。

本申请的发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：功率放大器，其将多个频带的RF信号进行放大；输出匹配电路，其与该功率放大器的输出连接；第1电容器，其一端与该输出匹配电路的输出连接；多条输出路径；开关，其与该第1电容器的另一端连接，根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条；多个第2电容器，其具有分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器。而且，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一单片微波集成电路构成。

本申请的发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：功率放大器，其将多个频带的RF信号进行放大；输出匹配电路，其与该功率放大器的输出连接；第1电容器，其一端与该输出匹配电路的输出连接；多条输出路径；开关，其与该第1电容器的另一端连接，根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条；多个第2电容器，其具有分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器。而且，该第1电容器的电容比该多个第2电容器中的任何一个第2电容器的电容大。

发明的效果

根据本发明，能够通过使用MMIC构成开关和与开关连接的电容器，或者通过使开关的前段的电容器的电容比开关的后段的电容器的电容大，从而提供一种适合于小型化的半导体装置。

附图说明

图1是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的电路图。

图2是MMIC的放大图。

图3是表示偏移电容△C与合成电容C_TOTAL的关系的曲线图。

图4是表示分支数N与电容器总面积的关系的曲线图。

图5是本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的电路图。

图6是表示在多个第2电容器的电容是均等的情况下的输出功率的频率特性的曲线图。

图7是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的输出功率的频率特性的曲线图。

标号的说明

10半导体装置，12输入端子，14输入匹配电路，16功率放大器，18输出匹配电路，20输出端子，30第1电容器，32开关，34多个输出路径，36、38输出路径，40多个第2电容器，42、44第2电容器，50、52输出端子，60、62、64电源端子，70、71、72、73、74、75第1保护电路，80、81、82、83、84、85第2保护电路，90、92、94第3保护电路，100半导体装置，110多个第3电容器，112、114第3电容器

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式所涉及的半导体装置进行说明。有时对相同或者对应的结构要素标注相同的标号，并省略重复说明。

实施方式1