[发明专利]在导线间形成空气间隙的方法有效
| 申请号： | 201410503278.0 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105514025B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈品杉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬层 导线结构 多晶硅 光刻胶 氧化物间隙壁 沟道 氮化硅衬层 空气间隙 氧化层 移除 等向性蚀刻 剩余多晶硅 表面形成 氧化硅层 再氧化 侧壁 顶面 覆盖 共形 基板 去除 封闭 暴露 | ||
1.一种在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上形成有多数条导线结构，其中每个所述导线结构至少包括导体层以及位于所述导体层顶部的盖层；
于所述导线结构的表面形成氮化硅衬层；
于所述导线结构上形成多晶硅超薄衬层，覆盖所述氮化硅衬层，所述多晶硅超薄衬层的厚度在10纳米以下；
在所述导线结构之间的沟道内填满光刻胶；
移除部分所述光刻胶，使所述光刻胶的顶面低于所述导线结构的顶面；
在所述导线结构上共形地形成氧化层，覆盖所述光刻胶与所述多晶硅超薄衬层的表面；
非等向性蚀刻所述氧化层，以于所述光刻胶上方的所述导线结构侧壁形成氧化物间隙壁；
移除所述光刻胶，以露出所述沟道内的所述多晶硅超薄衬层；
以所述氧化物间隙壁为罩幕，去除暴露出的所述多晶硅超薄衬层；
移除所述氧化物间隙壁，以露出所述多晶硅超薄衬层；以及
氧化所述多晶硅超薄衬层，使其转变为氧化硅层并封闭所述沟道的上部。
2.根据权利要求1所述的在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，移除部分所述光刻胶的方法包括控制所述光刻胶的所述顶面在所述导体层以上。
3.根据权利要求2所述的在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，移除部分所述光刻胶的方法包括控制所述光刻胶的所述顶面介于所述盖层的厚度的10％～50％之间。
4.根据权利要求1所述的在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，去除暴露出的所述多晶硅超薄衬层的方法包括湿式蚀刻。
5.根据权利要求1所述的在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，移除部分所述光刻胶的方法包括：
对所述光刻胶进行化学机械研磨，直到露出所述多晶硅超薄衬层的顶面；以及
回蚀刻所述光刻胶。
6.根据权利要求1所述的在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，在所述导线结构上共形地形成所述氧化层的方法包括原子层沉积法。
7.根据权利要求1所述的在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，氧化所述多晶硅超薄衬层的方法包括自由基氧化法或低温湿式氧化法。
8.根据权利要求1所述的在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，在氧化所述多晶硅超薄衬层之前，还包括对所述多晶硅超薄衬层进行外延成长，以增加所述多晶硅超薄衬层的厚度。
9.根据权利要求8所述的在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，在进行所述外延成长之后，所述多晶硅超薄衬层的所述厚度增加1.5倍～2倍。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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