[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410503435.8 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104299998A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郑志星;乔伊·迈克格雷格;吉扬永 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种制作横向金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)器件的方法，包括：
在半导体衬底上制作栅极区；
采用一掩膜将第一型掺杂物质以一定角度倾斜注入半导体衬底；
采用相同的掩膜将第一型掺杂物质垂直注入半导体衬底，其中倾斜注入形成的区域和垂直注入形成的区域共同用于形成LDMOS器件的体区；以及
制作源极区和漏极接触区，其中源极区和漏极接触区具有不同于第一型掺杂的第二型掺杂。
2.如权利要求1所述的方法，其中制造栅极区包括在半导体衬底上制作介质层以及在介质层上制作导电层。
3.如权利要求1所述的方法，其中垂直注入的深度大于倾斜注入的深度。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括在制作栅极区之前在半导体衬底中注入第二型掺杂物质形成一阱区，其中该第二型掺杂浓度低于源极区和漏极接触区的掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的方法，其中倾斜注入包括从多个方向以与垂直方向相同的角度向半导体衬底注入，其中倾斜注入用于形成体区的沟道区。
6.如权利要求1所述的方法，其中第一型为P型，第二型为N型。
7.一种制作LDMOS器件的方法，包括：
在半导体衬底上制作栅极区；
采用一掩膜将第一型掺杂物质垂直注入半导体衬底以形成LDMOS器件的体区；
采用快速热退火工艺用于形成LDMOS器件的沟道；以及
制作源极区和漏极接触区，其中源极区和漏极接触区具有不同于第一型掺杂的第二型掺杂。
8.如权利要求7所述的方法，其中垂直注入时和栅极区自对准。
9.如权利要求7所述的方法，进一步包括采用相同的掩膜制作轻掺杂漏极区，其中第一型掺杂为P型，第二型掺杂为N型。
10.一种LDMOS器件，包括：
栅极区；
具有第一型掺杂的漏极区；
具有第二型掺杂的体区，其中第一型掺杂不同于第二型掺杂；以及
位于体区内的具有第一型掺杂的源极区；其中
漏极区位于栅极区的第一侧，源极区位于栅极区的第二侧，并且沿源极区向体区方向的第二型掺杂物质的浓度最高值位于源极区下方。
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