[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有栅极膜；

在所述栅极膜表面形成掩膜薄膜；

对所述掩膜薄膜进行离子注入，在所述掩膜薄膜内掺杂碳离子；

在对所述掩膜薄膜进行离子注入工艺之后，在所述掩膜薄膜表面形成保护膜；

在所述离子注入工艺之后，刻蚀部分所述保护膜和掩膜薄膜，暴露出部分所述栅极膜表面，形成掩膜层、以及位于掩膜层表面的保护层；

以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极膜直至暴露出衬底表面为止，形成栅极层；

在所述栅极层和掩膜层的侧壁表面形成第一侧墙，所述第一侧墙内掺杂有碳离子；

在所述栅极层和第一侧墙两侧的衬底内形成应力层。

2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，对所述掩膜薄膜进行的离子注入工艺包括：注入剂量为1E3atoms/cm²～1E6atoms/cm²，能量为5KeV～50KeV。

3.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅；所述保护层的厚度为5纳米～100纳米。

4.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括氮化硅；所述掩膜层的厚度为5纳米～100纳米。

5.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的形成工艺包括：在所述衬底、栅极层和掩膜层表面形成第一侧墙膜；对所述第一侧墙膜进行离子注入，在所述第一侧墙膜内掺杂碳离子；在所述离子注入工艺之后，回刻蚀所述第一侧墙膜，直至暴露出衬底表面为止，形成第一侧墙。

6.如权利要求5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，对所述第一侧墙膜进行的离子注入工艺包括：注入剂量为1E3atoms/cm²～1E6atoms/cm²，能量为5KeV～50KeV。

7.如权利要求5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙膜的材料包括氮化硅；所述第一侧墙膜的厚度为5纳米～100纳米。

8.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第一侧墙之后，形成应力层之前，在所述栅极层和第一侧墙两侧的衬底内形成轻掺杂区。

9.如权利要求8所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述轻掺杂区内掺杂有P型离子或N型离子。

10.如权利要求8所述的晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述轻掺杂区之后，形成所述应力层之前，在所述第一侧墙表面形成第二侧墙。

11.如权利要求10所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的形成工艺包括：在所述衬底、第一侧墙和掩膜层表面形成第二侧墙膜；回刻蚀所述第二侧墙膜，直至暴露出衬底表面为止，形成第二侧墙。

12.如权利要求11所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第二侧墙膜之后，回刻蚀所述第二侧墙膜之前，对所述第二侧墙膜进行离子注入，在所述第二侧墙膜内掺杂碳离子。

13.如权利要求12所述的晶体管的形成方法，其特征在于，对所述第二侧墙膜进行的离子注入工艺包括：注入剂量为1E3atoms/cm²～1E6atoms/cm²，能量为5KeV～50KeV。

14.如权利要求11所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙膜的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种；所述第二侧墙膜的厚度为5纳米～100纳米。