[发明专利]一种铜柱凸点结构的封装工艺

权利要求书

1.一种铜柱凸点结构的封装工艺，其过程包括如下步骤：

a.提供带有金属焊盘及钝化层的半导体衬底，所述钝化层覆盖于衬底上，并有选择性地刻蚀所述钝化层，使其形成窗口以露出金属焊盘；

b.利用磁控溅射在上述半导体衬底上沉积凸点下金属化层，所述凸点下金属化层覆盖于钝化层及金属焊盘上；

c.利用匀胶机在上述凸点下金属化层的表面涂布初级光刻胶层，并利用光刻工艺使初级光刻胶层图形化，以形成铜柱窗口图形；

d.利用电镀工艺在上述窗口图形内沉积铜柱；

e.利用去胶工艺去除光刻胶层，以露出凸点下金属化层的表面；

f.利用刻蚀工艺去除铜柱四周多余的凸点下金属化层；

g.利用已有倒装焊设备的超声焊工艺实现铜柱与芯片之间的连接。

2.根据权利要求1所述的一种铜柱凸点结构的封装工艺，其特征在于：所述芯片上的金属焊盘的直径大于铜柱凸点的直径。

3.根据权利要求2所述的一种铜柱凸点结构的封装工艺，其特征在于：所述芯片上的金属焊盘的高度等于半导体衬底上金属焊盘的高度。

4.根据权利要求1所述的一种铜柱凸点结构的封装工艺，其特征在于：所述超声焊工艺的振幅采用5—35μm。

5.根据权利要求1所述的一种铜柱凸点结构的封装工艺，其特征在于：所述超声焊工艺的振动频率采用16—30kHZ。