[发明专利]包括鳍形场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成鳍形场效应晶体管的方法，该方法包括：

在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；

在所述基板上形成邻近所述沟道区的源/漏区域；

在所述沟道区和所述源/漏区域之间形成接触所述沟道区的侧壁和所述源/漏区域的侧壁的阻挡层，其中所述阻挡层包括Si_xGe_1-x，并且x在0.05至0.2的范围内。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述沟道区中的锗浓度大于所述阻挡层中的锗浓度。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

形成所述沟道区包括形成包含Si_1-yGe_y的沟道区，并且y在0.8至1的范围内；

形成所述源/漏区域包括形成所述源/漏区域的包括基本上纯锗的部分。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

所述沟道区中的锗浓度大于所述阻挡层中的锗浓度，并且

所述源/漏区域中的锗浓度基本上等于或大于所述阻挡层中的锗浓度。

5.如权利要求3所述的方法，还包括形成接触所述源/漏区域的上表面的接触区，其中所述源/漏区域的包括基本上纯锗的部分接触所述接触区。

6.如权利要求1所述的方法，其中：

形成所述沟道区包括形成包括Si_1-yGe_y的所述沟道区，并且y在0.85至1的范围内；并且

形成所述源/漏区域包括形成所述源/漏区域的包括基本上纯硅的部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述沟道区中的锗浓度大于所述阻挡层中的锗浓度。

8.如权利要求6所述的方法，还包括形成接触所述源/漏区域的上表面的接触区，其中所述源/漏区域的包括基本上纯硅的部分接触所述接触区。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成所述沟道区和所述阻挡层包括：

在所述基板上形成初始沟道区；

在所述初始沟道区上形成掩模图案；

使用所述掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述初始沟道区以形成所述沟道区；以及

使用所述沟道区作为籽层外延生长所述阻挡层。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成所述掩模图案包括：

在所述初始沟道区上形成第一掩模图案；以及

在所述第一掩模图案的相对侧壁上形成间隔物图案。

11.如权利要求9所述的方法，其中蚀刻所述初始沟道区包括蚀刻所述初始沟道区直到所述初始沟道区的被蚀刻部分的深度到达预定深度。

12.如权利要求1所述的方法，其中形成所述沟道区和所述阻挡层包括：

在所述基板上形成初始沟道区；

在所述初始沟道区的第一部分上形成第一掩模图案；

使用所述第一掩模图案作为注入阻挡掩模注入硅离子到所述初始沟道区中；

在注入所述硅离子之后在所述初始沟道区的所述第一部分上形成第二掩模图案；以及

使用所述第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述初始沟道区以形成所述沟道区和所述阻挡层。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第二掩模图案包括在所述第一掩模图案的相对侧壁上形成间隔物图案。

14.如权利要求1所述的方法，其中形成所述源/漏区域包括使用所述阻挡层作为籽层外延生长所述源/漏区域。