[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410505263.8 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105513945A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 倪梁;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底，刻蚀所述半导体衬底以形成凹槽；
在所述凹槽中形成牺牲层；
在所述半导体衬底和牺牲层的表面上形成悬臂梁结构层，刻蚀所 述悬臂梁结构层，暴露所述牺牲层，以形成悬臂梁结构和开口；
去除所述牺牲层，以释放所述悬臂梁结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀选 用各向同性干法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述牺 牲层的步骤包括：在所述凹槽中和所述半导体衬底表面上沉积形成牺 牲层，执行化学机械研磨停止于所述半导体衬底表面上，使所述牺牲 层的顶面与所述半导体衬底的表面齐平。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层 的材料为锗。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，采用包含双 氧水的溶液腐蚀所述牺牲层，直到完全去除所述悬臂梁结构下方的所 述牺牲层，使所述悬臂梁结构悬空。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述悬臂梁 结构层包括自下而上层叠的热氧化氧化硅层和HDP氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述热 氧化氧化硅层的工艺参数包括：采用氧气或空气的气氛，热氧化的温 度为900～1175℃，时间为1～2h。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在去除所述 牺牲层后，还包括以下步骤：
在所述悬臂梁结构的上方形成有机聚合物，该有机聚合物同时填 充所述悬臂梁结构和所述半导体衬底之间的空隙；
在所述有机聚合物上方形成图案化的光刻胶层；
以所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述有机聚合物，停止于所 述悬臂梁结构层的表面上。
9.一种采用如权利要求1所述的方法制作的半导体器件。
10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的半导 体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410505263.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：10kV开关柜开锁方法、装置及系统
- 下一篇：在TEM中对齐无特征薄膜
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
