[发明专利]液晶面板以及液晶面板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及液晶面板以及液晶面板的制造方法。

背景技术

在平板显示(FPD，Flat Panel Display)技术中，由于液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)具备轻薄短小、大幅节省摆放空间等优点，已经逐渐取代阴极射线管显示器，成为主流的显示器。在各种类型的LCD中，薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)是有源矩阵类型液晶显示器的一种，TFT-LCD性能优良，适合大规模的自动化生产，且原材料成本低廉，因此在LCD中占据重要地位。

在TFT-LCD的制程中，产品设计关系到产品最终制作完成后的各项性能，其中对液晶面板的TFT的设计又是整个设计中的重中之重，传统的TFT设计中已经考虑到各个部分的关键尺寸与规格，产品设计完成后通常会对一些部分的关键参数进行确认，但随着产品功能的不多增加，评价方法的不断完善，设计人员发现部分以前认为并不重要的尺寸参数也会对产品的性能起到决定性的作用。例如，某种显示面板的显示效果下降很快，经测试表明原因是TFT在使用中快速劣化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种防止TFT在使用中快速劣化的液晶面板以及液晶面板的制造方法。

本发明实施方式所提供的液晶面板，包括阵列基板以及与所述阵列基板对盒的对盒基板，所述阵列基板上设置有多条数据线及多条栅线，所述多条数据线与所述多条栅线交叉限定多个像素区域；所述阵列基板上还包括多个TFT，至少一个所述TFT所占的区域中包括内含有沟道区域的不透光区域，所述沟道区域的边界与所述不透光区域的边界之间在平行于所述液晶面板的方向上的距离大于或等于设定距离d。

本发明实施方式所提供的液晶面板，其中，所述沟道区域为U形区域，所述TFT的沟道区域和所述TFT的源极的图案的投影位于一栅线的所在区域内，所述不透光区域的边界包括所述栅线的边界。

本发明实施方式所提供的液晶面板，其中，所述TFT包括与所述栅线相连接的栅极，所述TFT的沟道区域的投影位于所述栅极所在区域内，所述源极、漏极和沟道区域三者组成的区域的宽度大于所述栅极的宽度，所述不透光区域的边界包括所述源极的远离所述沟道区域一侧的边界，以及所述漏极的远离所述沟道区域一侧的边界。

本发明实施方式所提供的液晶面板，其中，所述设定距离d为：

其中，n_air为空气的折射率，n_cell为所述液晶面板的平均折射率或所述阵列基板的第一衬底基板的折射率；

H为所述阵列基板的第一衬底基板内表面与所述对盒基板的第二衬底基板的内表面之间的距离或所述阵列基板与所述对盒基板之间的液晶层的厚度数值g、阵列基板上栅绝缘层高度k、源/漏电极保护层高度h三者的和；

I为每一像素区域内，所述沟道区域相邻接的不透光结构的面向所述对盒基板的表面与所述对盒基板的第二衬底基板内表面之间的垂直距离；

α取值为0°或θ，θ为光线由所述阵列基板射至所述对盒基板的与所述阵列基板相对的表面时的反射角的漫反射增量。

本发明实施方式所提供的液晶面板，其中，所述设定距离d为：

其中，n_air为空气的折射率，n_cell为所述液晶面板的平均折射率或所述阵列基板的第一衬底基板的折射率；

H为所述阵列基板的第一衬底基板内表面与所述对盒基板的第二衬底基板的内表面之间的距离或所述阵列基板与所述对盒基板之间的液晶层的厚度数值g、阵列基板上栅绝缘层高度k、源/漏电极保护层高度h三者的和；

α取值为0°或θ，θ为光线由所述阵列基板射至所述对盒基板的与所述阵列基板相对的表面时的反射角的漫反射增量；

I＝H-t，t为阵列基板上的TFT的高度，所述TFT的高度为所述TFT的最顶层不透光层的顶表面与所述阵列基板的第一衬底基板内表面之间的距离。

本发明实施方式所提供的液晶面板，其中，所述设定距离d为：

其中，n_air为空气的折射率，n_cell为所述液晶面板的平均折射率或所述阵列基板的第一衬底基板的折射率；