[发明专利]晶圆移除量的测量装置以及测量方法有效
申请号: | 201410508104.3 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN104269365B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 朱忠凯 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆移 测量 装置 以及 测量方法 | ||
1.一种晶圆移除量的测量装置,其特征在于,所述装置包括:
晶圆支架,用于支撑所述晶圆,且所述晶圆支架的上表面位于同一水平面上,用以对放置于所述晶圆支架上的所述晶圆的上表面和/或下表面选取若干测量点;
两个滑轨,在竖直方向上正对设置于所述晶圆的上下两侧;
至少一对激光器,每对激光器均分别设置于所述滑轨之上,且每对激光器的激光束发射口在竖直方向上正对设置;
具有空腔的外壳;
所述晶圆支架设置于所述外壳内壁的左右两侧,且所述滑轨设置于所述外壳内壁的上下两侧;
所述装置还包括:电路控制盒;
所述电路控制盒设置于所述外壳的空腔内部,且所述电路控制盒设有:
按键控制电路,用于输入操作指令;
CPU控制电路,用于接收所述操作指令,并发送控制指令,以及采集激光器测量数据并进行运算;
伺服电路,用于接收所述控制指令,并驱动所述激光器于所述滑轨上进行移动;
根据所述操作指令控制所述激光器的激光束分别照射所述晶圆的上表面和/或下表面的每个测量点;
并通过CPU控制电路采集每对所述激光器到晶圆表面的距离数据;
所述CPU控制电路据所述距离数据,计算出各激光器到晶圆表面距离的平均值L1、L2以及两平均距离之和L1+L2;
对所述晶圆进行抛光工艺之后,所述CPU控制电路计算出各激光器到抛光后的晶圆表面距离的平均值L1′、L2′以及两平均距离之和L1′+L2′;
所述CPU控制电路对测量结果L1+L2、L1′+L2′进行比较,计算出晶圆移除量(L1+L2)—(L1′+L2′),并将运算结果通过显示电路显示;
通过激光器于晶圆上任意选择两测量点,通过所述CPU控制电路计算获取两测量点间的水平距离L3,以及激光器到两测量点的距离差L4,计算出所述晶圆的倾斜角α,其中
其中,倾斜角α为晶圆上表面与水平面之间的锐角夹角。
2.如权利要求1所述的晶圆移除量的测量装置,其特征在于,所述外壳的尺寸为400mm×400mm×200mm。
3.如权利要求1所述的晶圆移除量的测量装置,其特征在于,所述伺服电路包括有伺服电机和一丝杠结构,以带动所述激光器在所述滑轨上移动。
4.一种采用权利要求1~3任意一项所述装置的测量方法,其特征在于,包括:
步骤S1、将一晶圆水平放置于所述晶圆支架上,并在所述晶圆的上表面和/或下表面选取若干测量点;
步骤S2、启动所述装置,同时制动至少一对所述激光器于滑轨上进行移动,利用所述激光器的激光束分别照射所述晶圆的上表面和/或下表面的每个测量点,并采集每对所述激光器到晶圆表面的距离数据;
步骤S3、所述电路控制盒根据所述距离数据,计算出各激光器到晶圆表面距离的平均值L1、L2以及两平均距离之和L1+L2;
步骤S4、对所述晶圆进行抛光工艺之后,重复步骤S2、步骤S3,计算出各激光器到抛光后的晶圆表面距离的平均值L1′、L2′以及两平均距离之和L1′+L2′;
步骤S5、对测量结果L1+L2、L1′+L2′进行比较,计算出晶圆移除量(L1+L2)—(L1′+L2′),并将运算结果显示于显示电路中;
步骤S4之前还包括:
测量晶圆上任意两测量点间的水平距离L3,以及激光器到两测量点的距离差L4,计算出所述晶圆的倾斜角α,其中
其中,倾斜角α为晶圆上表面与水平面之间的锐角夹角。
5.如权利要求4所述的测量方法,其特征在于,根据所述倾斜角α计算出所述晶圆的实际移除量:
[(L1+L2)—(L1′+L2′)]×cosα。
6.如权利要求4所述的测量方法,其特征在于,所述测量点至少10个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造