[发明专利]一种基于黑盒的RVDT设计方法

权利要求书

1.一种基于黑盒的RVDT设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)根据要求初步设计RVDT摸底样机，并首先初步确定初级线圈匝数N1，次级线圈匝数N2，按照初级线圈跨两级连接，次级线圈分别连接到每对磁极上来制作RVDT摸底样机，测量RVDT摸底样机的输入输出特性，进而得到RVDT摸底样机最大偏角对应的电压值U_o；

2)根据RVDT摸底样机最大偏角对应的电压值U_o与最大偏角要求输出电压U_{R_O}来设计次级线圈所需的实际次级线圈匝数N_{R_2}，由于：U_{R_O}＝8πfN₁N_{R_2}I₁μ₀rhα/δ，所以其中，f为励磁电源频率，I₁为初级线圈电流密度，μ₀为空气导磁系数，r为转子半径，h为定子铁芯的有效宽度，α为转子转角，δ为定子极掌与转子极端面之间的气隙厚度；

3)依据给定的初级线圈匝数，次级线圈匝数，测量的RVDT摸底样机最大偏角对应的电压与最大偏角要求输出电压计算出更改次级线圈匝数后的理论和值电压U′_sum，由于RVDT摸底样机和值电压U_sum＝8πfN₁N₂I₁μ₀rhθ/δ，同时U′_sum＝8πfN₁N_{R_2}I₁μ₀rhθ/δ，所以

4)根据理论和值电压U′_sum以及要求和值电压U_{R_sum}，计算和值补偿线圈匝数补偿线圈匝数可正可负，若为正，需要补偿的和值电压为正值，若为负，需要补偿的和值电压为负值，若为零则不需要进行和值补偿；

5)按照初级线圈匝数N₁，实际次级线圈匝数N_{R_2}，补偿线圈匝数N_{s_c}制作所需RVDT传感器。