[发明专利]降压DCDC转换器的控制电路有效
| 申请号： | 201410508690.1 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104201881B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈建春 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100048 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降压 dcdc 转换器 控制电路 | ||
1.降压DCDC转换器的控制电路，其特征在于，包括第一PMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极分别与逻辑控制电路连接，所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极相互连接形成第一节点即开关节点，所述第二NMOS管的源极连接接地端；所述第一PMOS管的源极连接输入电压端；所述开关节点通过电感连接输出电压端，在所述开关节点与所述电感之间或者在所述电感与所述输出电压端之间形成中间节点，所述中间节点分成二路，第一路依次连接采样电阻、第三NMOS管和接地端，第二路通过第六NMOS管连接接地端；所述第六NMOS管的栅极连接模式开关的定端，所述定端通过第四NMOS管连接接地端，所述模式开关的动端选择连接轻负载模式端和常规负载模式端，所述轻负载模式端为第五NMOS管的漏极，所述常规负载模式端为所述第五NMOS管的接地源极，所述第五NMOS管的漏极与栅极互连，所述第五NMOS管的栅极通过电流源连接输入电压端；在所述输出电压端设置反馈节点，所述反馈节点通过信号处理单元连接所述逻辑控制电路。
2.根据权利要求1所述的降压DCDC转换器的控制电路，其特征在于，所述反馈节点位于第一电阻与第二电阻的相互连接点上，所述反馈节点通过所述第一电阻连接所述输出电压端，所述反馈节点通过所述第二电阻连接接地端。
3.根据权利要求1所述的降压DCDC转换器的控制电路，其特征在于，所述第三NMOS管的漏极与栅极相互连接形成第二节点，所述第二节点连接所述第四NMOS管的栅极。
4.根据权利要求1所述的降压DCDC转换器的控制电路，其特征在于，所述第四NMOS管的漏极与所述第六NMOS管的栅极相互连接形成第三节点，所述第四NMOS管的源极接地。
5.根据权利要求1所述的降压DCDC转换器的控制电路，其特征在于，所述第三NMOS管的漏极连接所述采样电阻，所述第三NMOS管的源极接地。
6.根据权利要求1所述的降压DCDC转换器的控制电路，其特征在于，所述输出电压端通过负载电容连接接地端。
7.根据权利要求1所述的降压DCDC转换器的控制电路，其特征在于，所述输出电压端通过负载电阻连接接地端。
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