[发明专利]半桥结构双栅IGBT功率管高性能电磁炉控制电路

权利要求书

1.一种半桥结构双栅IGBT功率管高性能电磁炉控制电路，包括电容、电感、加热线盘、IGBT功率管及桥式整流器，其特征在于：IGBT功率管为2根。

2.如权利要求1所述的一种半桥结构双栅IGBT功率管高性能电磁炉控制电路，其特征在于：加热线盘为2组。

3.如权利要求1或2所述的一种半桥结构双栅IGBT功率管高性能电磁炉控制电路，其特征在于：包括电容C1,C3,C4,电感L1, 加热线盘P1-P4, IGBT功率管DA, IGBT功率管DB, 桥式整流器U，220V市电的相线与桥式整流器U的220V市电输入端L连接，220V市电的零线与桥式整流器U的220V市电输入端N连接，桥式整流器U的输出正极与电感L1的左端连接，电感L1的右端与加热线盘P1的左端连接，电感L1的右端通过电容C1与桥式整流器U的输出负极连接，加热线盘P1的右端通过电容C3与加热线盘P2的左端连接，加热线盘P2的右端与IGBT功率管DA的C极连接，电感L1的右端与加热线盘P3的左端连接，加热线盘P3的右端通过电容C4与加热线盘P4的左端连接，加热线盘P4的右端与IGBT功率管DB的C极连接, IGBT功率管DA的E极与桥式整流器U的输出负极连接，IGBT功率管DB的E极与桥式整流器U的输出负极连接，IGBT功率管DA的G极与PWN脉宽调制电压信号输入端CON1连接，IGBT功率管DB的G极与PWN脉宽调制电压信号输入端CON2连接。