[发明专利]一种抛光及清洗晶圆的半导体设备及方法

权利要求书

1.一种抛光及清洗晶圆的半导体设备，其特征在于，包括：

前端模组，所述前端模组用于传递和存放晶圆；

测量模组，所述测量模组用于测量晶圆的介质层厚度；

CMP抛光模组，所述CMP抛光模组对晶圆进行CMP研磨；

清洗模组，晶圆在所述清洗模组内接受清洗处理；

其中，所述清洗模组内包含有EKC清洗单元，晶圆在所述EKC清洗单元内 被EKC溶液清洗处理。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述清洗模组还包括兆声 波清洗单元、Brush清洗单元、IPA干燥单元以及晶圆输出单元。

3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述晶圆被EKC溶液清 洗处理的方式包括浸泡、冲刷或漂洗，所述EKC溶液的有效成分为盐酸羟胺，或 者为羟胺和氨水，或者为含有-NH₂-OH基团的溶液。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述前端模组包括装卸载 台、机械手、连接端口和传感器，所述前端模组通过所述连接端口和所述传感器在 设备端和工厂端之间传输晶圆的状态信息。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述测量模组包括装卸载 台和测量探针。

6.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述CMP抛光模组包括 抛光转盘和装卸载台。

7.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备具备预警 系统，对厚度不合格的晶圆发出警报并返工重做。

8.一种抛光及清洗晶圆的方法，包括抛光工艺和清洗工艺，其特征在于，在所 述抛光工艺对晶圆进行CMP研磨处理；在所述清洗工艺中包含有对晶圆进行EKC 清洗的步骤，所述晶圆在EKC清洗的步骤中被EKC溶液清洗处理。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述清洗工艺步骤的顺序依次为 兆声波清洗、Brush清洗、EKC清洗以及IPA干燥。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述EKC清洗的方式包括浸泡、 冲刷或漂洗，所述EKC溶液的有效成分为盐酸羟胺，或者为羟胺和氨水，或者为 含有-NH₂-OH基团的溶液。