[发明专利]具有均匀图案密度的混合接合

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一芯片，包括：

半导体衬底；以及

第一集成电路，所述第一集成电路的至少部分位于所述半导体衬底内；

第一表面介电层，位于所述第一集成电路上方；以及

多个第一金属焊盘，均匀地分布在所述第一芯片的整个表面上，

其中，所述多个第一金属焊盘的顶面与所述第一表面介电层的顶面在同一水平面上，并且其中，所述多个第一金属焊盘包括：

第一有源金属焊盘，电连接至所述第一集成电路；以及

第一伪金属焊盘，与所述第一集成电路电分离；

其中，所述第一芯片包括密封环，所述密封环的边缘邻近所述第一芯片的相应边缘，并且所述第一伪金属焊盘的一个与所述密封环重叠；

第二芯片，包括：

多个第二金属焊盘，均匀地分布在所述第二芯片的整个表面上，所述多个第一金属焊盘的顶视尺寸与所述多个第二金属焊盘的顶视尺寸不同，以在所述第一芯片和所述第二芯片接合偏移时使得接触电阻不变。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一芯片包括选自由图像传感器阵列、存储阵列和它们的组合组成的组的含阵列电路。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

多个第三金属焊盘，位于所述多个第一金属焊盘的下面，其中，所述多个第三金属焊盘的顶面与所述多个第一金属焊盘的底面接触。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

多个金属通孔，位于所述多个第一金属焊盘的下面，其中，所述多个金属通孔与所述多个第一金属焊盘的相应的上面的金属焊盘形成双镶嵌结构；以及

多个第三金属焊盘，位于所述多个金属通孔的下面，其中，所述多个金属通孔将所述多个第一金属焊盘连接至所述多个第三金属焊盘的相应的金属焊盘。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第一有源金属焊盘的每个均连接至下面的所述多个金属通孔的一个，并且其中，所述第一伪金属焊盘的每个的底面均与下面的介电材料的顶面接触。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一有源金属焊盘和所述第一伪金属焊盘具有相同的顶视形状和相同的顶视尺寸。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

所述第二芯片还包括第二表面介电层，其中，所述多个第二金属焊盘的顶面与所述第二表面介电层的表面在同一水平面上，所述第二表面介电层的所述表面接合至所述第一表面介电层的所述顶面，并且其中，所述多个第二金属焊盘包括：

第二有源金属焊盘，接合至所述第一有源金属焊盘；以及

第二伪金属焊盘，接合至所述第一伪金属焊盘。

8.一种集成电路结构，包括：

第一芯片，包括：

第一表面介电层；以及

多个第一金属焊盘，均匀地分布在所述第一芯片的整个表面上，其中，所述多个第一金属焊盘包括：

第一有源金属焊盘，位于所述第一表面介电层中；以及

第一伪金属焊盘，位于所述第一表面介电层中；以及

第二芯片，位于所述第一芯片上方并且通过混合接合接合至所述第一芯片，其中，所述第二芯片包括：

第二表面介电层，接合至所述第一表面介电层；以及

多个第二金属焊盘，包括：

第二有源金属焊盘，一一对应地接合至所述第一有源金属焊盘；以及

第二伪金属焊盘，一一对应地接合至所述第一伪金属焊盘，

其中，所述多个第一金属焊盘的顶视尺寸与所述多个第二金属焊盘的顶视尺寸不同，以在所述第一芯片和所述第二芯片接合偏移时使得接触电阻不变；

其中，所述第一芯片包括密封环，所述密封环的边缘邻近所述第一芯片的相应边缘，并且其中，所述第一伪金属焊盘的一个与所述密封环重叠。