[发明专利]一种解理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体材料的解理方法，尤其是涉及一种GaAs、InP等半导体材料的解理方法。

背景技术

随着科技的发展和进步，光电器件的种类和用途越来越广泛，这其中就包括很多使用了半导体材料的光电器件，半导体材料诸如GaAs、InP等材料，在使用这些材料制造光电器件的工艺中，需要将GaAs、InP等材料进行解理，目前现有的GaAs、InP等材料的解理工艺，一般采用金刚刀切缺口后用滚轮滚动施加压力来完成裂开。但是这种解理的方式对于一些表面结构不耐压的器件来说，会有较大程度的机械损伤，同时滚轮直接接触芯片表面，裂片产生的碎屑易粘附在滚轮上，为此会带来一定程度的碎屑等沾污样品表面的可能。因此，寻找一种能够避免以上缺陷的解理方法成为目前最为迫切的需要。

发明内容

本发明提供一种解理方法，采用气动的吸力迫使芯片沿晶向自然解理，为实现吸力，将常规解理机台的样品支持件换成具有气动的装置，设置一个向上的力，解理槽背面施加顶针、劈刀的顶力作用，即将支持件设计成左、中、右三个区域的长条块，中间区域将左右区域隔开，左、右内部挖空成一封闭腔室，侧壁打孔连接真空管，上表面打孔，用于样品的吸附，其中左表面与下表面平行，右表面与下表面夹角小于8°，中间区域为划片顶针平台，上表面预制顶针条上升的顶针孔，平台内部放置一排顶针组件，这排组件可以通过调节丝杠来控制顶针的上下运动，同时在平台定位边边缘预留出一定区域用于划片操作。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

具体实施方式

本发明的解理方法及解理装置，应用于GaAs、InP等脆性材料的解理工艺，可以实现样品表面无接触裂片的目的。本发明适用于脆性材料的解理，为使本发明更浅显易懂，以下将以应用本发明技术的较佳实施例予以详细说明。

讲需解理的样品固定在支持件上方，转动样品使得解理槽与解理对准边对齐，金刚石刀在解理槽前端切一个一定长度的缺口，将带有缺口的解理槽移至顶针孔处，开启腔室真空，使得芯片左右部分受到背面的吸力，同时启动顶针条上升，解理槽上受到向上的顶力，在这三个力的作用下，芯片沿着解理槽自然裂开，实现了芯片正表面无接触式的解理。

通过使用以上解理方法制得光电器件，其光电性能得到了明显提高、成品率也获得了大幅度的提升、使用寿命延长，起到了良好的效果。