[发明专利]发光器件和具有该发光器件的发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

半导体结构层，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和布置在所述有源层上的第二导电半导体层；以及

多个下折射层，布置在所述半导体结构层的外表面上，

其中所述下折射层包括：第一下折射层，在所述半导体结构层的表面上，具有低于所述半导体结构层的折射率的第一折射率；以及第二下折射层，在所述第一下折射层的外表面上，具有低于所述第一折射率的第二折射率，

所述第二下折射层的所述第二折射率为1.5或更小，

所述第二下折射层在其外表面上布置有多个突起，以及

所述第二下折射层包括多个金属氧化物粉末，

其中所述第二下折射层的外表面具有带所述多个突起的粗糙表面，

其中所述半导体结构层的外表面包括所述半导体结构层的多个侧表面和顶面，

其中所述多个突起从所述第二下折射层的外表面向外突出，

其中每个所述金属氧化物粉末包括具有1.49或更小的折射率的材料。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二下折射层包括以下中的至少一种：硅酸盐，硅氧烷，氢倍半硅氧烷HSQ，甲基倍半硅氧烷MQS，MQS+HSQ，全氢聚硅氮烷以及聚硅氮烷。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述半导体结构层的半导体材料具有2.4或更大的折射率。

4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一下折射层包括氧化铪、氧化锆和氧化镁中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一折射率为2或更小，并且所述第二折射率与所述第一折射率相差0.01或更多。

6.根据权利要求4所述的发光器件，还包括：

电极层，布置在所述半导体结构层的所述顶面与所述第一下折射层之间，

其中所述电极层包括透光材料或反射材料。

7.根据权利要求1至3任一项所述的发光器件，还包括：

衬底，包括透明材料，在所述半导体结构层的下方，

其中所述第二下折射层在所述衬底的侧面上延伸。

8.根据权利要求7所述的发光器件，还包括：

反射层，在所述衬底的底面上。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第二下折射层布置在所述衬底的底面与所述反射层之间。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述突起在所述反射层的方向上突出并接触所述反射层。

11.根据权利要求1至3任一项所述的发光器件，还包括：

第一电极，在所述半导体结构层上；

导电支撑构件，在所述半导体结构层的下方；

保护层，布置在所述导电支撑构件与所述半导体结构层之间；以及

第二电极，包括布置在所述导电支撑构件与所述半导体结构层之间的反射层，

其中所述第一下折射层和所述第二下折射层在所述保护层的外部顶面和外部侧面上延伸。

12.根据权利要求3所述的发光器件，其中每个所述金属氧化物粉末包括二氧化硅材料并具有500nm或更大的宽度，并且所述第二下折射层具有小于一个所述金属氧化物粉末宽度的厚度。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中每个所述金属氧化物粉末接触所述第一下折射层的外表面并且所述第一下折射层的所述第一折射率为1.7或更大。

14.根据权利要求12所述的发光器件，其中每个金属氧化物粉末与所述半导体结构层的外表面间隔开，并且具有的宽度小于每个突起的宽度。