[发明专利]掺硫的碳硬膜有效
| 申请号： | 201410513389.X | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104517815B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 斯利士·K·雷迪;爱丽丝·G·霍利斯特;索斯藤·利尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳硬膜 | ||
1.一种在半导体衬底上有待蚀刻的第一层上形成可灰化硬膜的方法，包括：
提供包括碳源和硫源的前体气体到容纳所述半导体衬底的沉积室，并且
从所述前体气体产生等离子体，从而通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述第一层上沉积掺硫的可灰化硬膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积的掺硫的可灰化硬膜具有在0.5％与5％之间的硫原子含量。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述沉积的掺硫的可灰化硬膜具有在60％与90％之间的碳原子含量。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述沉积的掺硫的可灰化硬膜具有在13％与26％之间的氢原子含量。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺硫的可灰化硬膜的厚度在与之间。
6.根据权利要求1至5的任一项所述的方法，其中所述掺硫的可灰化硬膜的应力在-40MPa与-400MPa之间。
7.根据权利要求1至5的任一项所述的方法，其中所述第一层选自由氧化物层、氮化物层和多晶硅层组成的组。
8.根据权利要求1至5的任一项所述的方法，其中所述碳源是甲烷、乙炔或丙烯。
9.根据权利要求1至5的任一项所述的方法，其中所述硫源是硫化氢(H2S)或二硫化碳(CS2)。
10.根据权利要求1至5的任一项所述的方法，其中所述硫源是二硫化碳(CS2)并且所述碳源是乙炔(C2H2)。
11.根据权利要求1至5的任一项所述的方法，其中所述碳源和所述硫源从所述沉积室的上游结合。
12.根据权利要求1至5的任一项所述的方法，其中所述碳源和所述硫源被单独提供到所述沉积室。
13.根据权利要求1至5的任一项所述的方法，进一步包括图案化所述掺硫的可灰化硬膜层。
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括根据所述掺硫的可灰化硬膜的图案蚀刻所述第一层。
15.一种在半导体衬底上形成掺硫的非晶碳基薄膜的方法，包括：
在沉积室中提供所述半导体衬底，
使所述半导体衬底暴露于包括碳源和硫源的前体气体，并且
通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述半导体衬底上沉积所述掺硫的非晶碳基薄膜。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述掺硫的非晶碳基薄膜具有在0.5％与5％之间的硫原子含量。
17.根据权利要求15或16所述的方法，其中所述硫源是硫化氢(H2S)或二硫化碳(CS2)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
