[发明专利]加工半导体结构的装置

权利要求书

1.一种加工半导体结构的装置，所述半导体结构包括形成在晶圆上的电介质层、位于电介质层上的阻挡层、位于阻挡层上的金属层，该半导体结构还包括形成在电介质层上的图案，图案内有所述阻挡层，所述金属层填充图案，其特征在于，该装置包括第一机械手、晶圆缓存台、第二机械手、膜厚测量装置、电化学抛光腔、清洗腔、预加热腔、第三机械手、干法气相刻蚀腔及后冷却腔，其中：

第一机械手，在晶圆缓存台、预加热腔及后冷却腔之间传送晶圆；

晶圆缓存台，放置晶圆；

第二机械手，在晶圆缓存台、膜厚测量装置、电化学抛光腔及清洗腔之间传送晶圆；

膜厚测量装置，寻找晶圆上的缺口并测量晶圆上金属层的厚度；

电化学抛光腔，电化学抛光晶圆，去除晶圆上非凹陷区域上的金属层；

清洗腔，清洗和干燥晶圆；

预加热腔，加热晶圆；

第三机械手，在预加热腔、干法气相刻蚀腔及后冷却腔之间传送晶圆；

干法气相刻蚀腔，干法气相刻蚀晶圆，去除晶圆上非凹陷区域上的阻挡层；

后冷却腔，冷却晶圆；

该装置分为干法区域和湿法区域，干法区域包括第一机械手、预加热腔、第三机械手、干法气相刻蚀腔及后冷却腔，湿法区域包括第二机械手、膜厚测量装置、电化学抛光腔及清洗腔，干法区域与湿法区域之间通过晶圆缓存台实现晶圆的传送。

2.根据权利要求1所述的加工半导体结构的装置，其特征在于，所述第一机械手，将具有所述半导体结构的晶圆放置在晶圆缓存台上，从晶圆缓存台上取完成电化学抛光工艺以及清洗和干燥工艺后的晶圆并将晶圆传送至预加热腔，从后冷却腔取完成干法气相刻蚀工艺以及降温工艺的晶圆。

3.根据权利要求1所述的加工半导体结构的装置，其特征在于，所述第二机械手，从晶圆缓存台上取具有所述半导体结构的晶圆并将晶圆放置在膜厚测量装置上，从膜厚测量装置上取完成膜厚测量工艺的晶圆并将晶圆传送至电化学抛光腔，从电化学抛光腔取完成电化学抛光工艺的晶圆并将晶圆传送至清洗腔，从清洗腔取完成清洗和干燥工艺的晶圆并将晶圆放置在晶圆缓存台上。

4.根据权利要求1所述的加工半导体结构的装置，其特征在于，所述第三机械手，从预加热腔取完成加热工艺的晶圆并将晶圆传送至干法气相刻蚀腔，从干法气相刻蚀腔取完成干法气相刻蚀工艺的晶圆并将晶圆传送至后冷却腔。

5.根据权利要求1所述的加工半导体结构的装置，其特征在于，所述晶圆缓存台为可移动式晶圆缓存台，当第一机械手需要将晶圆放置在晶圆缓存台上或者第一机械手需要从晶圆缓存台上取晶圆时，该晶圆缓存台移动至靠近第一机械手的一侧。

6.根据权利要求5所述的加工半导体结构的装置，其特征在于，当第二机械手需要从晶圆缓存台上取晶圆或第二机械手需要将晶圆放置在晶圆缓存台上时，晶圆缓存台移动至靠近第二机械手的一侧。

7.根据权利要求1所述的加工半导体结构的装置，其特征在于，晶圆缓存台与膜厚测量装置层叠布置，预加热腔与后冷却腔层叠布置。

8.根据权利要求1所述的加工半导体结构的装置，其特征在于，膜厚测量装置采取非接触式测量晶圆上金属层的厚度。