[发明专利]半导体结构的形成方法以及半导体结构的形成装置

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方设置掩模版；

在含有氧气的环境下，采用激光以所述掩模版为掩模照射所述衬底，在衬 底接受激光照射的区域形成氧化物图形。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底含有硅元素，所述 在衬底接受激光照射的区域形成的氧化物图形为氧化硅图形。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述激光的波长在200纳米 到350纳米的范围内。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底，所 述氧化硅图形的厚度在100埃到500埃的范围内。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述激光的脉冲能量在1到 的10焦耳的范围内。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述含有氧气的环境包括纯 氧环境和空气环境。

7.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成 方法还包括：

以所述氧化物图形为硬掩模，刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成腔体。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底，刻蚀 所述衬底的刻蚀剂包括四甲基氢氧化铵溶液。

9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述腔体在平行于衬底的平 面上的形状为矩形，所述矩形的长度和宽度在10到900微米的范围内。

10.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述氧化硅图形的特征尺寸 在1微米到2微米的范围内。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于， 提供衬底的步骤包括：在提供单晶硅衬底之后，在所述单晶硅衬底上形成 非晶硅材料层，所述非晶硅材料层和单晶硅衬底共同组成衬底；

在含有氧气的环境下，采用激光以所述掩模版为掩模照射所述衬底，在衬 底接受激光照射的区域形成氧化物图形的步骤包括：采用激光以所述掩模 版为掩模照射所述非晶硅材料层，在所述非晶硅材料层上形成氧化硅图形。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底为非晶硅衬底，在 所述非晶硅衬底接受激光照射的区域形成的氧化物图形为氧化硅图形。

13.如权利要求11或12所述的形成方法，其特征在于，所述氧化硅图形的厚 度在100埃到1000埃的范围内。

14.一种半导体结构的形成装置，其特征在于，包括：

氧化膜生长设备，具有腔室，所述腔室中设有承载晶圆的承片台，所述腔 室内的气体中含有氧气；

激光光源，用于发出激光；

掩模版，位于所述激光光源与承片台之间，用于使激光光源所发出激光的 一部分投射到晶圆上，以形成氧化物图形。

15.如权利要求14所述的形成装置，其特征在于，所述激光光源位于所述氧化 膜生长设备的腔室内。

16.如权利要求14所述的形成装置，其特征在于，所述氧化膜生长设备用于形 成氧化硅图形，所述激光光源发出的激光波长在200纳米到350纳米范围 内。

17.如权利要求14所述的形成装置，其特征在于，所述腔室内的气体为纯氧或 空气。