[发明专利]半导体晶片的旋转涂胶方法

权利要求书

1.一种半导体晶片的涂胶方法，采用晶片旋转的方式，由涂胶头向晶片表面涂敷胶液，其特征在于，包括：

首次涂胶工序，在所述首次涂胶工序中，所述涂胶头偏离所述晶片的中心O，所述涂胶头与所述晶片的中心O之间的水平距离为r1，所述r1为定值且小于所述晶片的半径R，所述涂胶头在所述晶片表面涂敷形成第一胶层；

再次涂胶工序，在所述再次涂胶工序中，所述涂胶头偏离所述晶片的中心O，所述涂胶头与所述晶片的中心O之间的水平距离为r2，所述r2为定值且小于所述晶片的半径R，所述涂胶头在所述第一胶层表面涂敷形成第二胶层；

其中，所述第一胶层的胶液和所述第二胶层的胶液通过所述晶片的旋转作用摊开并铺满晶片表面；

在所述首次涂胶工序和所述再次涂胶工序之间，对所述第一胶层进行减薄处理，所述第一胶层在经过所述减薄处理后在晶片边缘形成圆环形凹陷的形貌，所述第一胶层在经过所述减薄处理后在晶片边缘位置处的厚度比其他位置处的厚度薄；

所述第二胶层在晶片边缘位置处的厚度比其他位置处的厚度厚，所述第二胶层与经过所述减薄处理后的第一胶层互补，所述第二胶层的表面为平整均一的水平面。

2.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述减薄处理通过使用洗边喷嘴向所述第一胶层喷射洗边液的洗边工艺来实现，所述洗边液溶解所述第一胶层的胶液或与所述第一胶层的胶液发生化学反应从而形成所述第一胶层的圆环形凹陷的形貌。

3.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述涂胶头涂敷至晶片表面的、作为第一胶层的胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形；所述涂胶头涂敷至第一胶层表面的、作为第二胶层的胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形。

4.根据权利要求3所述的涂胶方法，其特征在于，所述r1的范围为1mm≤r1≤50mm，所述r2的范围为1mm≤r2≤50mm，所述r1和r2的大小由所述胶液的粘度、所述涂胶头的出胶流速以及所述晶片的转速决定，以保证所述胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形。

5.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述涂胶头的口径为X，所述X的范围为3mm≤X≤10mm；所述涂胶头与所述晶片的垂直距离为H，所述H的范围为5mm≤H≤30mm。

6.根据权利要求2所述的涂胶方法，其特征在于，所述洗边喷嘴的喷射速度为15mL/min—50mL/min，所述洗边喷嘴喷射出的洗边液的形状为细长条形的液柱，所述液柱的直径为0.2mm—0.5mm。

7.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述首次涂胶工序进一步包括涂胶过程和甩胶过程；在所述涂胶过程中，所述晶片的转速为20RPM—

300RPM；在所述甩胶过程中，所述晶片的转速为100RPM—7000RPM。

8.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述再次涂胶工序进一步包括涂胶过程和甩胶过程；在所述涂胶过程中，所述晶片的转速为20RPM—

300RPM；在所述甩胶过程中，所述晶片的转速为100RPM—7000RPM。

9.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，在所述减薄处理的过程中，所述晶片的转速为300RPM—1500RPM。