[发明专利]DRAM器件及其形成方法

权利要求书

1.一种DRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括存储器件区以及至少一个逻辑器件区；

在所述衬底的逻辑器件区以及存储器件区中分别形成第一栅极以及第二栅极；

分别在所述逻辑器件区中的第一栅极两侧的衬底，以及存储器件区中的第二栅极的两侧的衬底中形成凹陷，在所述凹陷中填充材料层，以分别形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极；

在所述通道晶体管的源极或者漏极上依次形成电介质层以及金属层，所述电介质层、金属层与所述通道晶体管的源极或者漏极用于构成电容器；

其中，形成第一栅极以及第二栅极的步骤包括：

所述第一栅极以及第二栅极分别为第一伪栅和第二伪栅；

分别形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极的步骤之后，所述形成方法还包括：

去除所述第一伪栅和第二伪栅，并在所述第一伪栅和第二伪栅的位置形成第一金属栅极和第二金属栅极；

去除第一伪栅以及第二伪栅的步骤包括：

在所述衬底上形成覆盖所述第一栅极以及第二栅极的介质层；

平坦化所述介质层使所述第一栅极以及第二栅极从所述介质层露出；

去除部分所述介质层，以露出所述通道晶体管的源极和漏极的其中之一；

刻蚀以去除所述第一栅极以及第二栅极，以在所述介质层中形成第一开口和第二开口；

形成所述第一金属栅极以及第二金属栅极的步骤包括：

在所述第一开口、第二开口底部以及所述露出的通道晶体管的源极或者漏极表面形成电介质材料，其中，位于第一开口、第二开口底部的电介质材料分别为所述第一栅极和第二栅极的栅介质层，位于所述露出的存储器件区中的源极或者漏极表面的电介质材料为所述电容器的电介质层；

在所述第一开口、第二开口中以及所述电介质层上形成金属材料层，其中位于第一开口、第二开口中的金属材料层形成所述第一金属栅极和第二金属栅极，位于所述电介质层上的金属材料层形成所述电容器的金属层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤包括：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成半导体层。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述电介质材料为高K介质材料。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成金属材料层的步骤包括：在所述第一开口、第二开口中以及露出的通道晶体管的源极或者漏极表面形成金属材料层，平坦化所述金属材料层，使所述电容器的金属层的表面与所述第一栅极和第二栅极的表面齐平。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤之后，形成第一栅极以及第二栅极的步骤之前，所述形成方法还包括：所述形成方法还包括：

对所述衬底位于逻辑器件区以及存储器件区的部分进行掺杂。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，对衬底位于逻辑器件区以及存储器件区的部分进行掺杂的步骤包括：

使所述衬底中掺杂离子的掺杂浓度从衬底表面到衬底中心逐渐减小。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极的步骤中，

在所述凹陷中填充的材料层为金属。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极的步骤还包括：对金属进行退火处理。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述电容器的金属层为钨或者铝金属层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述电容器的电介质层的厚度在1.5纳米～3纳米的范围内。