[发明专利]圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导有效

专利信息
申请号: 201410515261.7 申请日: 2014-09-29
公开(公告)号: CN104950388B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 欧阳征标;黄浩 申请(专利权)人: 欧阳征标;深圳大学
主分类号: G02B6/125 分类号: G02B6/125
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 胡吉科
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 圆孔 正方 晶格 光子 晶体 折射率 补偿 散射 直角 波导
【权利要求书】:

1.圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导,其特征在于,包括至少一个第一介质柱、一个第二介质柱、一个介质背景;所述正方晶格光子晶体的晶格常数为a;在所述光子晶体中移除一排和一列低折射率的第一介质柱构建直角波导;在所述直角波导的拐弯左上角去除所述第一介质柱;所述第一介质柱为圆孔介质柱;在所述直角波导的拐弯右下方设置低折射率的第二介质柱;所述第二介质柱为补偿散射柱;所述补偿散射柱为半圆形补偿散射柱;所述第二介质柱的半径为 0.39538a;所述第二介质柱以原点为基准,X轴的位移为 0.18961a,Z轴的位移为 0.82705a,其旋转角度为 124.722799 度;入射光距离原点的X 轴和Z 轴的位移为-5.3a, 0,所述入射光的初始相位为 160 度。

2.按照权利要求 1 所述的圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单 补偿散射柱直角波导,其特征在于,所述介质背景为折射率大于 2 的介质。

3.按照权利要求 1 所述的圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导,其特征在于,所述介质背景的材料为硅、砷化镓或者二氧化钛。

4.按照权利要求 3 所述的圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导,其特征在于,所述介质背景材料采用硅,其折射率为 3.4。

5.按照权利要求 1所述的圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导,其特征在于,所述第一、二介质柱为折射率小于 1.6 的介质。

6.按照权利要求 1 所述的圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导,其特征在于,所述第一、二介质柱为空气、真空、氟化镁或者二氧化硅。

7.按照权利要求 1 所述的圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导,其特征在于,所述直角波导为 TE 工作模式波导。

8.按照权利要求 1 所述的圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导,其特征在于,所述直角波导的面积大于或等于7a×7a,其中 a 为光子晶体的晶格常数。

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