[发明专利]方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导

权利要求书

1.一种方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，由低折射率的第一介质柱在高折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列低折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的两个拐弯处分别设置低折射率的第二、三介质柱；所述第二、三介质柱为补偿散射柱；所述第二、三介质柱为空气柱；所述第二、三介质柱分别为等腰直角三角形空气柱；所述第二介质柱设置于所述直角波导的左上角，其直角边长为0.46029a，其中a为正方晶格光子晶体的晶格常数，该第二介质柱的旋转角为205.8度，其旋转方向为顺时针方向；所述第三介质柱位于直角波导的右下角，其直角边长为0.48022a，其旋转角度为269.58度；所述第一介质柱为空气方孔；在归一化频率0.336处，所述直角波导的回波损耗为45.11dB，插入损耗为0.0004dB。

2.按照权利要求1所述的方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率背景介质的材料为折射率大于2的介质。

3.按照权利要求1所述的方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率背景介质的材料为硅、砷化镓或者二氧化钛。

4.按照权利要求3所述的方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率背景介质的材料为硅，其折射率为3.4。

5.按照权利要求1所述的方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率的介质为折射率小于1.6的介质。

6.按照权利要求1所述的方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率的介质为空气、真空、氟化镁或者二氧化硅。

7.按照权利要求1所述的方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述直角波导为TM工作模式波导。

8.按照权利要求1所述的方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述直角波导的结构的面积大于或等于7a×7a，其中a为正方晶格光子晶体的晶格常数。