[发明专利]方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导有效
| 申请号： | 201410515361.X | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104950386B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 欧阳征标;黄浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市浩源光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/125 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方柱式 正方 晶格 光子 晶体 折射率 补偿 散射 直角 波导 | ||
1.方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的拐弯处设置一个高折射率的第二介质柱；所述第二介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。
2.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述第二介质柱为等腰直角三角形柱、弓形柱、方柱、三角柱、多边形柱，或者横截面轮廓线为圆滑封闭曲线的柱子。
3.按照权利要求2所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述第二介质柱为等腰直角三角形柱。
4.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率背景介质的材料为硅、砷化镓、二氧化钛，或者折射率大于2的介质。
5.按照权利要求4所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述高折射率背景介质材料为硅，其折射率为3.4。
6.按权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率背景介质为空气、真空、氟化镁、二氧化硅，或者折射率小于1.6的介质。
7.按照权利要求6所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述低折射率背景介质为空气。
8.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述直角波导为TE工作模式波导。
9.按照权利要求1所述的方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，其特征在于，所述直角波导结构的面积大于或等于7a×7a，所述a为光子晶体的晶格常数。
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