[发明专利]磁场感应器

权利要求书

1.一种磁场感应器，其特征在于，包含一半导体薄膜、一漏极、一源极、一栅极、一第一霍尔电极，以及一第二霍尔电极，

其中根据对所述漏极施加的一漏极电压和对所述栅极施加的一栅极电压，在所述漏极与所述源极之间会存在一漏极电流通过所述半导体薄膜的一通道区域，在所述第一霍尔电极与所述第二霍尔电极之间会根据所述漏极电流和所述通道区域中存在的一磁场产生一霍尔电压；

其中对所述栅极施加的所述栅极电压的值在一最低允许栅极电压值之上，而不低于所述最低允许栅极电压值的低电压范围。

2.根据权利要求1所述的磁场感应器，其特征在于，所述半导体薄膜为一多晶半导体。

3.根据权利要求2所述的磁场感应器，其特征在于，所述多晶半导体为多晶硅。

4.根据权利要求1所述的磁场感应器，其特征在于，所述半导体薄膜为一非晶半导体。

5.根据权利要求4所述的磁场感应器，其特征在于，所述非晶半导体为非晶相铟镓锌氧化物。

6.根据权利要求1所述的磁场感应器，其特征在于，所述半导体薄膜为微晶半导体。

7.根据权利要求6所述的磁场感应器，其特征在于，所述微晶半导体为微晶硅。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的磁场感应器，其特征在于，所述最低允许栅极电压值设为对漏极电流对栅极电压的关系特性曲线进行外插后使所述漏极电流为零的所述栅极电压。