[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的控制栅和控制栅侧壁层的前端器件，在所述半导体衬底上形成层间介电层；

步骤S102：利用DHF和干蚀刻对所述层间介电层和所述控制栅侧壁层进行刻蚀以暴露出所述控制栅的一部分；

步骤S103：利用TMAH对所述控制栅进行回刻蚀以将所述控制栅被暴露出的部分在栅极宽度方向上去除一部分；

步骤S104：对所述前端器件进行SiCoNi预清处理；

步骤S105：在所述控制栅上沉积金属，执行第一热退火工艺以形成第一金属硅化物，去除未反应的金属，执行第二热退火工艺以形成控制栅金属硅化物。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，形成所述层间介电层的方法包括：

通过FCVD或PETEOS在所述半导体衬底上形成介电材料层；

通过CMP去除所述介电材料层高于所述控制栅的部分以形成层间介电层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述层间介电层的材料包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，还将位于所述控制栅两边的氧化物层的至少一部分去除。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述DHF中HF与H2O的体积比为1:100～1:300。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

步骤S1021：利用DHF将所述层间介电层去除第一厚度，暴露出所述控制栅侧壁层的一部分；

步骤S1022：利用干蚀刻去除所述控制栅侧壁层被暴露出的部分；

步骤S1023：利用DHF刻蚀将所述层间介电层去除第二厚度。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述第一厚度为所述第二厚度为

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述回刻蚀所采用的TMAH的浓度为2.38％，所述回刻蚀的工艺温度为25～30℃。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述控制栅被暴露出的部分在所述栅极宽度方向上被去除的宽度为

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，所述金属包括NiPt。

11.一种电子装置，其特征在于，包括半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件，其中所述半导体器件的制造方法包括如下步骤：

步骤S101：提供包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的控制栅和控制栅侧壁层的前端器件，在所述半导体衬底上形成层间介电层；

步骤S102：利用DHF和干蚀刻对所述层间介电层和所述控制栅侧壁层进行刻蚀以暴露出所述控制栅的一部分；

步骤S103：利用TMAH对所述控制栅进行回刻蚀以将所述控制栅被暴露出的部分在栅极宽度方向上去除一部分；

步骤S104：对所述前端器件进行SiCoNi预清处理；

步骤S105：在所述控制栅上沉积金属，执行第一热退火工艺以形成第一金属硅化物，去除未反应的金属，执行第二热退火工艺以形成控制栅金属硅化物。