[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：

一基板，包括一阵列区；

至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构，位于该基板的该阵列区上；

一绝缘层，位于该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构之间，且在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构之间的该绝缘层上具有一沟槽；

一第一金属层，位于该沟槽的侧壁及底部上；

一第一保护层，位于该沟槽中及该第一金属层之上；以及

一第二金属层，位于该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构及该第一保护层的顶部表面上，使该第一金属层及该第二金属层包围该第一保护层。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第一金属层在该沟槽的底部具有一第一厚度，该第二金属层在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构的顶部表面上具有一第二厚度，且其中该第二厚度大于该第一厚度。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第一金属层及该第二金属层分别包括钴或镍。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该基板还包括一周边电路区相邻于该阵列区，且其中该非易失性存储器装置还包括至少一第二多晶硅栅极堆叠结构，位于该周边电路区上。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第二金属层延伸至该至少一第二多晶硅栅极堆叠结构的顶部表面上。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第一金属层在该沟槽的底部具有一第一厚度，该第二金属层在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构的顶部表面上具有一第二厚度，该第二金属层在该至少一第二多晶硅栅极堆叠结构的顶部表面上具有一第三厚度，且其中该第二厚度大于该第一厚度，且等于该第三厚度。

7.一种非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板，包括一阵列区；

在该基板的该阵列区上形成至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构以及在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构之间形成一绝缘层，其中该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构之间的该绝缘层上具有一沟槽；

在该沟槽的侧壁及底部顺应性地形成一第一金属层，且在该沟槽中填入一第一保护层以覆盖该第一金属层；以及

在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构及该第一保护层的顶部表面上形成一第二金属层，使该第一金属层及该第二金属层包围该第一保护层。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，在该沟槽底部的该第一金属层具有一第一厚度，在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构顶部表面上的该第二金属层具有一第二厚度，且该第二厚度大于该第一厚度。

9.如权利要求7所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，形成该第一金属层及填入该第一保护层的步骤还包括：

在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构上沉积该第一金属层，且顺应性地覆盖该沟槽的侧壁及底部；

在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构上方的该第一金属层上沉积该第一保护层，并填入该沟槽中；以及

实施一蚀刻制造工艺，以移除该沟槽上方的该第一保护层及该第一金属层，且暴露出该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构的顶部表面。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，该蚀刻制造工艺包括干式蚀刻制造工艺、湿式蚀刻制造工艺或化学机械抛光制造工艺。

11.如权利要求7所述的非易失性存储器装置的制造方法，其特征在于，该基板还包括一周边电路区相邻于该阵列区，且该非易失性存储器装置的制造方法还包括在该周边电路区上形成至少一第二多晶硅栅极堆叠结构。