[发明专利]一种基于核壳量子点分子印迹聚合物及其用途

权利要求书

1.一种基于核壳量子点分子印迹聚合物，其特征在于，包括以下制备步骤：

(1)CdTe/CdS量子点的制备：

在氮气环境下，将碲粉、过量硼氢化钠加入到去离子水中，反应得到无色NaHTe；将CdCl₂·2.5H₂O加入到去离子水中，加入巯基乙酸后用氢氧化钠调pH为10.5～11.5，加入NaHTe，通氮气，加入稀硫酸，无氧回流得到TGA-CdTe QDs，加入硫代乙酰胺，无氧回流，得CdTe/CdS量子点；

(2)CdTe/CdS@MIPs的制备：

将全氟辛酸、CdTe/CdS量子点和3-氨丙基三乙氧基硅烷搅拌反应15～45min，然后加入TEOS，质量分数为25％的氨水，搅拌反应10～14h，将合成的分子印迹聚合物离心，用甲醇洗涤若干次，直至上清溶液检测不到全氟辛酸的存在，然后用水洗涤，离心沉淀，即得碲化镉核壳量子点表面对全氟辛酸印迹聚合物CdTe/CdS@MIPs，真空干燥备用；全氟辛酸︰CdTe/CdS︰APTES︰TEOS︰氨水的摩尔比＝24︰3.0～3.5︰170︰340～380︰1300～1400。

2.如权利要求1所述的基于核壳量子点分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，所述CdTe/CdS量子点粒径为3～5nm，CdTe/CdS@MIP粒径为200～300nm。

3.如权利要求1或2所述的基于核壳量子点分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，在氮气环境下，将碲粉、过量硼氢化钠加入到去离子水中，1～3小时后得无色NaHTe，Te︰NaBH₄摩尔比为1︰2～5，生成的HTe^－浓度约为1.5×10^-2mol/L；按照Cd²⁺︰巯基乙酸︰HTe^－的摩尔比为1︰2︰0.25的比例准备CdCl₂·2.5H₂O、巯基乙酸和NaHTe，将CdCl₂·2.5H₂O加入到去离子水中，配成Cd²⁺浓度为4×10^-3mol/L的溶液，搅拌下加入巯基乙酸(TGA)，用氢氧化钠逐滴调节pH为11，转入三颈瓶；NaHTe也转入三颈瓶，通氮气30～60分钟；逐滴加入与NaHTe的摩尔比为10～15的稀硫酸，磁力搅拌下，NaHTe与稀硫酸反应产生H₂Te，H₂Te在无氧的状态下与溶液反应形成CdTe前体；溶液在95℃～100℃无氧回流1～3小时，得到TGA-CdTe QDs，加热到95℃～100℃，加入硫代乙酰胺(TAA)，硫代乙酰胺与Cd²⁺摩尔比为8～10︰100，无氧回流30～90分钟，得CdTe/CdS量子点(CdTe/CdS QDs)。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，全氟辛酸︰CdTe/CdS︰APTES︰TEOS︰氨水的摩尔比＝24︰3.0～3.5︰170︰360︰1330。