[发明专利]疏水自清洁减反射涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种疏水自清洁减反射涂层的制备方法，其特征在于该涂层中含有减反射功能的SiO₂纳米涂层以及SiO₂纳米颗粒表面的疏水基团，所述的方法包括：

（1）将烷基烷氧基硅烷（R_nSi(OR’)_4-n）溶解在醇溶液中；

（2）加入酸催化剂水解，水解温度控制在30~80℃，水解时间0.5~4小时；

（3）加入碱催化剂水解，水解温度控制在50~80℃，水解时间1~24小时；

（4）冷却后，加入丁醇和硅烷偶联剂的混合物，分散均匀后陈化24~72小时；

（5）采用旋涂、提拉方法在基底上涂膜；

（6）待涂层自然干燥后，进行热处理；

其中，烷基烷氧基硅烷、酸、碱的摩尔比是1:0.01~0.05:0.5~1.3；烷基烷氧基硅烷、硅烷偶联剂、正丁醇的摩尔比是1:0.15~0.25:4.0~9.0；涂膜工艺为多次涂膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的烷基烷氧基硅烷是具有R_nSi(OR’)_4-n结构的硅氧烷， R是甲基、乙基、丙基、异丁基、辛基的一种，R’是甲基或乙基，n是1或2。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的步骤（1）中的醇为甲醇、乙醇或丙醇。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述步骤（1）中的烷基烷氧基硅烷与醇的摩尔比是1:5~40。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的酸催化剂为少量的酸、水和乙醇的混合物。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的碱催化剂为少量的氨水、水和乙醇的混合物。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、3-(异丁烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基（乙氧基）硅烷或丙烯基三甲氧基硅烷。

8.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于所述的酸为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、硼酸、甲酸、乙酸或草酸。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的基底为玻璃。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的热处理为200~400℃烧结0.5~2小时。