[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一半导体层，掺杂有n型掺杂剂；

第二半导体层，掺杂有p型掺杂剂；

有源层，布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述有源层由In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)形成并包括多个势垒层和多个阱层，所述阱层插在所述势垒层之间并具有比所述势垒层小的带隙能量；

中间层，插在所述有源层与所述第二半导体层之间，所述中间层由In_aAl_bGa_1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)形成并具有比所述势垒层小的带隙能量；以及

阻挡层，布置在所述中间层与所述第二半导体层之间，所述阻挡层由In_zAl_wGa_1-z-wN(0≤z≤1，0≤w≤1，0≤z+w≤1)形成并具有比所述势垒层和所述中间层中的每层大的带隙能量；以及

其中所述中间层与所述阻挡层相接触；

所述阱层和所述势垒层中的每层具有4至20nm的厚度；

所述中间层具有0.02至0.13的Al组成比。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层产生具有325nm至385nm的波长的UV光。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述势垒层的Al含量高于所述阱层的Al含量并低于所述阻挡层的Al含量。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间层的Al含量低于所述势垒层和所述阻挡层的Al含量并高于所述阱层的Al含量。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间层掺杂有p型掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述中间层具有1E¹⁸至1E²⁰cm^-3的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间层具有2nm至30nm的厚度。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述阻挡层掺杂有p型掺杂剂。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述阱层和所述势垒层交替布置，并且所述阱层的数量为3至5层。

10.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：

第一电极，电连接到所述第一半导体层；以及

第二电极，电连接到所述第二半导体层。

11.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：

透光电极层，布置在所述第二半导体层上。

12.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：

衬底，布置在所述第一半导体层下方。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述衬底包括在所述衬底的上表面上的多个不规则部，以提高光提取效率。