[发明专利]具有光学收发器的半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

第一半导体基板和第二半导体基板，其堆叠在封装基板上方；

光学收发器，其产生和接收利用穿过所述第一半导体基板的红外线在所述封装基板与所述第二半导体基板之间行进的光学信号，其中，所述光学收发器包括主光学收发器和辅光学收发器，所述主光学收发器设置在所述封装基板中，所述辅光学收发器设置在所述第二半导体基板中，与所述主光学收发器对准；以及

互连层，其设置在所述第一半导体基板的表面上，所述互连层具有内部互连结构和层间绝缘结构，

其中，所述互连层具有与所述辅光学收发器垂直地重叠的窗口。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述红外线具有1200纳米至15000纳米的波长。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体基板包括硅基板。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述主光学收发器包括主光学发送器，并且

其中，所述辅光学收发器包括与所述主光学发送器对准的辅光学接收器。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述主光学收发器包括主光学发送器和主光学接收器；并且

其中，所述辅光学收发器包括分别与所述主光学发送器和所述主光学接收器对准的辅光学接收器和辅光学发送器。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括穿通电极，其穿透所述第一半导体基板和所述第二半导体基板，将所述第一半导体基板和所述第二半导体基板电连接至所述封装基板。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述穿通电极用作所述第一半导体基板和所述第二半导体基板与所述封装基板之间的电信号路径、供电路径或接地路径。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述光学收发器提供所述第二半导体基板与所述封装基板之间的数据信号路径或提供芯片选择信号路径，通过该芯片选择信号路径发送用于选择所述第一半导体基板和所述第二半导体基板中的所述第二半导体基板的芯片选择信号。

9.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

封装基板，其包括第一主光学收发器和第二主光学收发器；

第一半导体基板，其安装在所述封装基板上，所述第一半导体基板具有与所述第一主光学收发器对准的第一辅光学收发器；

第二半导体基板，其堆叠在所述第一半导体基板上，所述第二半导体基板具有与所述第二主光学收发器对准的第二辅光学收发器，

其中，所述第一半导体基板和所述第二半导体基板横向地错开，以具有台阶结构，使得所述第二辅光学收发器接收利用穿过所述第一半导体基板的红外(IR)线从所述第二主光学收发器输出的光学信号；以及

所述半导体封装件还包括设置在所述第一半导体基板的表面上的互连层，所述互连层具有内部互连结构和层间绝缘结构，

其中，所述互连层具有与所述第一辅光学收发器和所述第二辅光学收发器垂直地重叠的窗口。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第一穿通电极，其穿透所述第一半导体基板；

第二穿通电极，其穿透所述第二半导体基板；以及

电极延伸部，其设置在所述第一半导体基板的与所述封装基板相反的第一表面上，将所述第一穿通电极电连接至所述第二穿通电极。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述第一穿通电极、所述电极延伸部和所述第二穿通电极在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板与所述封装基板之间提供电信号路径、供电路径或接地路径。

12.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述第一辅光学收发器设置为邻近所述第一半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面。