[发明专利]摄像器件、摄像器件的制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种摄像器件，其包括：

第一沟槽，所述第一沟槽设置在半导体基板的受光区域内的多个像素之间，所述半导体基板包括周边区域和所述受光区域，所述受光区域设置有均包括光电转换部的所述多个像素；

第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体基板的所述周边区域内；和

挖入部，所述挖入部设置在所述周边区域的面对着所述第二沟槽的位置处，

其中，所述半导体基板的设置有所述第一沟槽的部分的厚度与所述半导体基板的设置有所述第二沟槽的部分的厚度不同，

其中，所述挖入部形成为使得所述半导体基板的设置有所述第二沟槽的部分的厚度不大于所述第一沟槽的深度。

2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，在所述半导体基板中，设置有所述第二沟槽的部分的厚度小于设置有所述第一沟槽的部分的厚度。

3.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述挖入部设置在所述半导体基板的一个表面或两个表面的面对着所述第二沟槽的区域内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述第一沟槽分离所述多个像素中各像素的所述光电转换部。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，还包括设置在所述周边区域内的外部连接电极，

其中，所述第二沟槽设置在所述外部连接电极的周围。

6.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，所述挖入部填充有绝缘材料。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述第二沟槽穿透所述半导体基板。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述摄像器件的遮光膜在所述第一沟槽和所述第二沟槽中延伸。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成有空气间隙。

10.一种摄像器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在半导体基板的一个表面的周边区域内设置挖入部，所述半导体基板包括受光区域和所述周边区域，所述受光区域设置有均包括光电转换部的多个像素；并且

在所述半导体基板的另一个表面设置第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽设置在所述受光区域内，所述第二沟槽设置在所述周边区域的面对着所述挖入部的位置处，

其中，所述挖入部形成为使得所述半导体基板的设置有所述第二沟槽的部分的厚度不大于所述第一沟槽的深度。

11.根据权利要求10所述的摄像器件的制造方法，其中，通过两级蚀刻形成所述挖入部。

12.根据权利要求10或11所述的摄像器件的制造方法，还包括步骤：在设置所述挖入部作为第一挖入部之后，设置第二挖入部，所述第二挖入部设置在所述半导体基板的所述另一个表面的面对着所述第一挖入部的位置处。

13.根据权利要求11所述的摄像器件的制造方法，还包括步骤：将绝缘材料嵌入到所述挖入部中。

14.根据权利要求10所述的摄像器件的制造方法，其中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成有空气间隙。

15.一种设置有摄像器件的电子装置，所述摄像器件是如权利要求1至9中任一项所述的摄像器件。